[发明专利]一种电子设备的制备方法及装置、存储介质

权利要求书

1.一种电子设备的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

将异方性导电胶膜的第一面分别与第一低温多晶硅玻璃的侧面和第二低温多晶硅玻璃的侧面连接，其中，所述第一低温多晶硅玻璃的下表面和所述第二低温多晶硅玻璃的上表面连接；

断开所述第一低温多晶硅玻璃与所述第二低温多晶硅玻璃之间的连接，并断开第一导电胶膜和第二导电胶膜之间的连接，所述第一导电胶膜为与所述第一低温多晶硅玻璃的侧面连接的部分异方性导电胶膜，所述第二导电胶膜为与所述第二低温多晶硅玻璃的侧面连接的部分异方性导电胶膜；

将覆晶薄膜与所述第一导电胶膜的第二面连接，所述第一导电胶膜的第一面与所述第一低温多晶硅玻璃的侧面连接，以完成所述电子设备的制备过程。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一低温多晶硅玻璃的下表面和所述第二低温多晶硅玻璃的上表面连接，包括：

将所述第一低温多晶硅玻璃的下表面与所述第二低温多晶硅玻璃的上表面之间部分区域进行连接；

和/或，将所述第一低温多晶硅玻璃的下表面与所述第二低温多晶硅玻璃的上表面之间所有区域进行连接。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述异方性导电胶膜的宽度为根据所述第一低温多晶硅玻璃和所述第二低温多晶硅玻璃确定的宽度。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述覆晶薄膜包括集成电路。

5.根据权利要求1或3任一项所述的方法，其特征在于，所述异方性导电胶膜包括导电粒子。

6.根据权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，所述第一低温多晶硅玻璃为低功耗的显示玻璃。

7.根据权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，所述第二低温多晶硅玻璃为低功耗的显示玻璃。

8.一种电子设备的制备装置，其特征在于，所述装置包括：

连接单元，用于将异方性导电胶膜的第一面分别与第一低温多晶硅玻璃的侧面和第二低温多晶硅玻璃的侧面连接，其中，所述第一低温多晶硅玻璃的下表面和所述第二低温多晶硅玻璃的上表面连接；将覆晶薄膜与第一导电胶膜的第二面连接，所述第一导电胶膜的第一面与所述第一低温多晶硅玻璃的侧面连接，以完成所述电子设备的制备过程；

断开单元，用于断开所述第一低温多晶硅玻璃与所述第二低温多晶硅玻璃之间的连接，并断开所述第一导电胶膜和第二导电胶膜之间的连接，所述第一导电胶膜为与所述第一低温多晶硅玻璃的侧面连接的部分异方性导电胶膜，所述第二导电胶膜为与所述第二低温多晶硅玻璃的侧面连接的部分异方性导电胶膜。

9.一种电子设备的制备装置，其特征在于，所述装置包括：

存储器、处理器和通信总线，所述存储器通过所述通信总线与所述处理器进行通信，所述存储器存储所述处理器可执行的电子设备的制备程序，当所述电子设备的制备程序被执行时，通过所述处理器执行如权利要求1至7任一项所述的方法。

10.一种存储介质，其上存储有计算机程序，应用于电子设备的制备装置，其特征在于，该计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至7任一项所述的方法。