[发明专利]用于制造包括固定到引线框架的裸片的集成设备的方法

权利要求书

1.一种方法，包括：

在引线框架的表面上形成焊料合金的焊料层，所述引线框架的所述表面至少部分地由铜制成，其中所述焊料合金是无铅的，并且选自由以下项组成的组：包括至少40wt％的锡的合金，包括至少50％的铟的合金，以及包括至少50％的镓的合金；以及

在所述焊料层上设置半导体裸片和金属层，其中所述金属层与所述焊料层接触；以及

通过将所述焊料层加热到至少380℃的温度，在所述金属层与所述引线框架之间形成焊接连接。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述引线框架完全由铜制成。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述焊料合金在由以下项组成的组中进行选择：

包括61％-69％锡、8％-11％锑和23％-28％银的合金；

包括50％-99％锡、1％-5％银的合金；

包括98％-98.9％锡、1％-5％银、0.1％-1％铜的合金；

包括50％-99％铟、1％-50％银的合金；

包括50％-99％镓、1％-50％镍的合金；

包括50％-99％镓、1％-50％铜的合金；以及

包括70％-99％镓、1％-30％银的合金，

每种合金的百分比以重量对所述合金的总重量来表示。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述焊料合金是65％锡、25％银、10％锑，百分比以重量对所述焊料合金的总重量来表示。

5.根据权利要求1所述的方法，其中加热所述焊料合金以及在所述金属层与所述引线框架之间形成焊接连接以范围在0.1s与10s之间的时间间隔实现。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属层由金属制成，所述金属选自由钛、镍、金、银、铝和铜组成的组。

7.一种设备，包括：

引线框架，具有铜表面；

半导体裸片，具有表面；

金属层，涂覆所述半导体裸片的所述表面；以及

焊接连接，在所述引线框架的所述铜表面与所述金属层之间，其中：

所述焊接连接包括无铅的焊料合金，所述无铅的焊料合金选自由以下项组成的组：包括至少40wt％的锡的合金，包括至少50％的铟的合金，以及包括至少50％的镓的合金，并且

所述焊接连接通过将所述金属层设置为与所述焊料合金的焊料层接触、并且将所述焊料合金加热到至少380℃的温度而获得。

8.根据权利要求7所述的设备，包括至少部分地围绕所述裸片和所述引线框架的绝缘材料的封装。

9.根据权利要求7所述的设备，其中所述引线框架完全由铜制成。

10.根据权利要求7所述的设备，其中所述焊料合金在由以下项组成的组中进行选择：

包括61％-69％锡、8％-11％锑和23％-28％银的合金；

包括50％-99％锡、1％-5％银的合金；

包括98％-98.9％锡、1％-5％银、0.1％-1％铜的合金；

包括50％-99％铟、1％-50％银的合金；

包括50％-99％镓、1％-50％镍的合金；

包括50％-99％镓、1％-50％铜的合金；以及

包括70％-99％镓、1％-30％银的合金，

每种合金的百分比以重量对所述合金的总重量来表示。

11.根据权利要求7所述的设备，其中所述焊料合金是65％锡、25％银、10％锑，百分比以重量对所述焊料合金的总重量来表示。

12.根据权利要求7所述的设备，其中所述焊接连接通过将所述金属层设置为与所述焊料合金的焊料液滴接触、并且将所述焊料合金加热范围在0.1s与10s之间的时间间隔而获得。