[发明专利]存储器装置及其操作方法

说明书

提供了一种存储器装置及其操作方法。存储器装置包括：存储器单元阵列，其包括多个串；电压发生电路，其被配置为在多个串当中的被选串的读取操作的沟道初始化操作期间，在预定时间段期间向多个串施加导通电压；以及控制逻辑，其被配置为设置向多个串施加导通电压的预定时间段，并且控制电压发生电路以在预定时间段期间向多个串施加导通电压，其中，控制逻辑将与被选串相对应的预定时间段设置为第一时间段，并将与多个串当中的未选串相对应的预定时间段设置为短于第一时间段。

技术领域

本公开的各种实施方式总体上涉及一种电子装置，并且更具体地，涉及一种存储器装置及其操作方法。

背景技术

近来，关于计算环境的范例已经变为能够几乎随时随地使用计算机系统的无所不存的计算。因此，诸如移动电话、数码相机和膝上型计算机之类的便携式电子装置的使用已经迅速增加。上述便携式电子装置通常可以利用采用存储器装置的存储器系统，即数据储存装置。数据储存装置可以用作便携式电子装置的主存储器装置或辅存储器装置。

采用存储器装置的数据储存装置不包括机械驱动器，因此可以具有优异的稳定性和耐久性，并且具有极高的信息访问速度和低功耗。具有上述特点的存储器系统的示例是包括通用串行总线(USB)存储器装置的数据储存装置、具有各种接口的存储卡、固态驱动器(SSD)等。

存储器装置通常被分类为易失性存储器装置和非易失性存储器装置。

非易失性存储器装置可以具有相对低的写入速度和读取速度，但是可以在没有供电的情况下保留所存储的数据。因此，当需要存储无论是否供电都应保留的数据时，可以使用非易失性存储器装置。非易失性存储器装置的示例包括只读存储器(ROM)、掩码ROM(MROM)、可编程ROM(PROM)、可擦除可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪存、相变随机存取存储器(PRAM)、磁RAM(MRAM)、电阻RAM(RRAM)和铁电RAM(FRAM)。闪存可以分类为NOR型存储器和NAND型存储器。

发明内容

本公开的各种实施方式提供了一种在读取操作期间展现出改善的电特性的存储器装置以及操作该存储器装置的方法。

根据实施方式，存储器装置可以包括：存储器单元阵列，其包括多个串；电压发生电路，其被配置为在多个串当中的被选串的读取操作的沟道初始化操作期间的预定时间段期间向多个串施加导通电压；以及控制逻辑，其被配置为设置向多个串施加导通电压的预定时间段，并且控制电压发生电路在预定时间段期间向多个串施加导通电压，其中，控制逻辑将与被选串相对应的预定时间段设置为第一时间段，并将与多个串当中的未选串相对应的预定时间段设置为短于第一时间段。

根据实施方式，存储器装置可以包括：存储器单元阵列，其包括多个串；电压发生电路，其被配置为在多个串当中的被选串的读取操作的沟道初始化操作期间的预定时间段期间向多个串施加导通电压；以及控制逻辑，其被配置为设置向多个串施加导通电压的预定时间段，并且控制电压发生电路以在预定时间段期间向多个串施加导通电压，其中，控制逻辑将多个串当中的与被选串共享源极选择线的第一未选串的预定时间段设置为第一时间段，并将多个串当中的其余第二未选串的预定时间段设置为比第一时间段短的第二时间段。

根据实施方式，存储器装置可以包括：存储器单元阵列，其包括多个串；电压发生电路，其被配置为在多个串当中的被选串的读取操作的沟道初始化操作期间的预定时间段期间向多个串施加导通电压；以及控制逻辑，其被配置为设置向多个串施加导通电压的预定时间段，并且控制电压发生电路以在预定时间段期间向多个串施加导通电压，其中，控制逻辑将预定时间段设置为使得在第一时间段期间向多个串当中的未选串的源极选择晶体管施加导通电压，并且在比第一时间段长的时间段期间向未选串的漏极选择晶体管施加导通电压。