[发明专利]存储器装置及其操作方法

权利要求书

1.一种存储器装置，该存储器装置包括：

存储器单元阵列，所述存储器单元阵列包括多个串；

电压发生电路，所述电压发生电路被配置为在所述多个串当中的被选串的读取操作的沟道初始化操作期间，向所述多个串施加导通电压达预定时间段；以及

控制逻辑，所述控制逻辑被配置为设置向所述多个串施加所述导通电压的所述预定时间段，并且控制所述电压发生电路以向所述多个串施加所述导通电压达所述预定时间段，

其中，所述控制逻辑将用于所述被选串的预定时间段设置为第一时间段，并将用于所述多个串当中的未选串的预定时间段设置为短于所述第一时间段。

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述多个串中的至少两个串共享一条源极选择线，并且所述至少两个串联接至不同的漏极选择线。

3.根据权利要求2所述的存储器装置，

其中，所述多个串中的每个串包括串联联接在位线和源极线之间的漏极选择晶体管、多个存储器单元和源极选择晶体管，并且

其中，所述电压发生电路产生所述导通电压并且向联接至所述漏极选择晶体管的所述漏极选择线和联接至所述源极选择晶体管的所述源极选择线施加所述导通电压达所述预定时间段。

4.根据权利要求3所述的存储器装置，

其中，所述控制逻辑将向所述未选串当中的与所述被选串共享所述源极选择线的第一未选串的所述漏极选择晶体管施加所述导通电压的预定时间段设置为比所述第一时间段短的第二时间段，并且

其中，所述控制逻辑将所述未选串当中的第二未选串的所述漏极选择晶体管和所述源极选择晶体管施加所述导通电压的预定时间段设置为比所述第二时间段短的第三时间段。

5.根据权利要求3所述的存储器装置，

其中，所述控制逻辑将向所述未选串的所述漏极选择晶体管施加所述导通电压的预定时间段设置为比所述第一时间段短的第二时间段，并且

其中，向所述未选串的所述源极选择晶体管施加所述导通电压的预定时间段被设置为比所述第二时间段短的第三时间段。

6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述控制逻辑还被配置为：在所述沟道初始化操作之后，控制所述电压发生电路以执行用于向所述被选串的字线施加读取电压和通过电压的读取电压施加操作。

7.一种存储器装置，该存储器装置包括：

存储器单元阵列，所述存储器单元阵列包括多个串；

电压发生电路，所述电压发生电路被配置为在所述多个串当中的被选串的读取操作的沟道初始化操作期间，向所述多个串施加导通电压达预定时间段；以及

控制逻辑，所述控制逻辑被配置为设置向所述多个串施加所述导通电压的所述预定时间段，并且控制所述电压发生电路以向所述多个串施加所述导通电压达所述预定时间段，

其中，所述控制逻辑将用于所述多个串当中与所述被选串共享源极选择线的第一未选串的预定时间段设置为第一时间段，并将用于所述多个串当中的第二未选串的预定时间段设置为比所述第一时间段短的第二时间段。

8.根据权利要求7所述的存储器装置，其中，

其中，所述第一时间段是向所述第一未选串的漏极选择晶体管施加所述导通电压的时间段，并且

其中，所述第二时间段是向所述第二未选串的漏极选择晶体管施加所述导通电压的时间段。

9.根据权利要求8所述的存储器装置，其中，所述控制逻辑将向所述第二未选串的源极选择晶体管施加所述导通电压的预定时间段设置为所述第二时间段或者比所述第二时间段短的第三时间段。

10.根据权利要求7所述的存储器装置，其中，所述控制逻辑将用于所述被选串的预定时间段设置为比所述第一时间段长的第四时间段。