[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，所述阵列基板包括衬底基板、多个薄膜晶体管和多条数据线，其特征在于，所述薄膜晶体管包括栅极、有源层、刻蚀阻挡层、源极、漏极，所述栅极、所述有源层、所述刻蚀阻挡层、所述源极依次设置在所述衬底基板上，所述数据线与所述源极异层设置，且所述数据线与相应的源极电连接，所述刻蚀阻挡层设置在所述有源层上，且所述刻蚀阻挡层在所述有源层上的正投影不超过所述有源层的范围，所述源极的至少一部分设置在所述有源层超出所述刻蚀阻挡层的部分上，所述漏极的至少一部分设置在所述有源层超出所述刻蚀阻挡层的另一部分上。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括钝化层，所述钝化层上形成有数据线过孔，所述数据线过孔沿厚度方向贯穿所述钝化层，所述数据线通过所述数据线过孔与相应的源极电连接。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述源极与所述漏极同层设置，所述阵列基板还包括像素电极，所述钝化层上形成有像素电极过孔，所述像素电极过孔沿厚度方向贯穿所述钝化层，所述像素电极通过所述像素电极过孔与相应的漏极电连接。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述数据线和所述像素电极同层设置，且均由透明电极材料制成。

5.根据权利要求1至4中任意一项所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括设置在所述有源层和所述栅极之间的栅绝缘层，所述源极的一部分搭接在所述有源层上，所述源极的另一部分搭接在所述栅绝缘层上，和/或所述漏极的一部分搭接在所述有源层上，所述漏极的另一部分搭接在所述栅绝缘层上。

6.根据权利要求1至4中任意一项所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层的材料为铟镓锌氧化物。

7.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求1至6中任意一项所述的阵列基板。

8.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

在衬底基板上形成包括栅极的图形；

利用灰色调掩模板形成包括组合结构的图形，所述组合结构与所述栅极绝缘间隔，所述组合结构包括沿远离所述栅极的方向依次层叠的有源层、刻蚀阻挡层和第一掩膜图形，所述刻蚀阻挡层在所述有源层上的正投影不超过所述有源层的范围；

形成第二掩膜图形，所述第二掩膜图形与所述第一掩膜图形以及所述刻蚀阻挡层共同限定源极通孔和漏极通孔，所述源极通过和所述漏极通孔的底部为所述有源层超出所述刻蚀阻挡层的部分；

在所述源极通孔形成源极，在所述漏极通孔中形成漏极；

形成包括数据线的图形，所述数据线与源极电连接，且所述数据线与所述源极异层设置。

9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，形成包括组合结构的图形的步骤包括：

形成组合材料层，所述组合材料层包括半导体材料层和刻蚀阻挡材料层，所述刻蚀阻挡材料层位于所述半导体材料层远离所述栅极的一侧；

形成由所述第一光刻胶材料制成的第一光刻胶层；

利用所述灰色调掩膜板对所述第一光刻胶层进行曝光，获得第一初始掩膜图形，所述第一初始掩膜图形包括刻蚀阻挡部和位于所述刻蚀阻挡层两侧的灰化部，所述刻蚀阻挡部的厚度大于所述灰化部的厚度；

对所述组合材料层进行刻蚀，以获得初始组合图形，所述初始组合图形的边缘与所述灰化部的边缘对齐；

执行灰化步骤，以去除所述灰化部，以及所述初始组合图形中与所述灰化部对应的部分，并获得所述第一掩膜图形和所述组合结构。

10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，形成第二掩膜图形的步骤包括：

形成由所述第二光刻胶材料制成的第二光刻胶层；

对所述第二光刻胶层进行曝光显影，以获得所述第二掩膜图形。