[发明专利]一种碳板结构、分析磁场以及离子注入设备

说明书

本说明书一个或多个实施例提供一种碳板结构、分析磁场以及离子注入设备。所述碳板结构应用于离子注入设备的分析磁场中，包括：碳板主体，被配置为弧形结构，用于设置在所述分析磁场底部；以及，至少一个碳制挡板，沿与离子束注入方向垂直的方向设置于所述碳板主体上，且面向离子束注入方向的一侧与所述碳板主体之间设置有预设角度。本发明所述碳板结构、分析磁场以及离子注入设备能够解决剥落物受离子束撞击而引出至玻璃基板表面导致的点不良的问题。

技术领域

本说明书一个或多个实施例涉及显示制造技术领域，尤其涉及一种碳板结构、分析磁场以及离子注入设备。

背景技术

如今，半导体器件已深入到现代生活的方方面面。而诸如计算机、移动电话之类的大多数电子产品的核心部件、如处理器、存储器等都含有半导体器件。半导体器件已在现代信息化设备中扮演至关重要的角色。

半导体制造的一个重要工艺是离子注入。离子注入是指，将来自离子源的离子束进行加速和偏转后入射到目标材料中去，离子束最后停留在目标材料中，从而对目标材料的化学或物理性质进行调整。在半导体制造中，通常例如采用离子注入对目标材料进行掺杂、如n型或p型掺杂。

在现有的离子注入机中，工艺气体及设备本身产生的剥落物(副产物)容易沉积在分析磁场底部，并被离子束撞击而引出至玻璃基板表面，附着在玻璃基板表面的剥落物会遮挡这一区域，影响离子注入的稳定性和均一性，从而导致一些点不良的产生。尤其是在有机电致发光显示面板(OLED，Organic Light Emitting Display)中尤为明显，这已经成为了注入性能的主要制约。

发明内容

有鉴于此，本说明书一个或多个实施例的目的在于提出一种碳板结构、分析磁场以及离子注入设备，以解决剥落物受离子束(Beam)撞击而引出至玻璃基板（Glass）表面导致的点不良的问题。

基于上述目的，本说明书一个或多个实施例提供了一种碳板结构，应用于离子注入设备的分析磁场中，包括：

碳板主体，被配置为弧形结构，用于设置在所述分析磁场底部；

至少一个碳制挡板，沿与离子束注入方向垂直的方向设置于所述碳板主体上，且面向离子束注入方向的一侧与所述碳板主体之间设置有预设角度。

可选的，所述碳板主体设置有挡板安装底座。

可选的，与所述挡板安装底座连接的一侧设置有与所述挡板安装底座配合的安装槽口。

可选的，所述碳制挡板以及所述挡板安装底座上均设置有与所述螺丝配合的螺丝孔，所述碳制挡板通过螺丝固定在所述挡板安装底座上。

可选的，所述碳制挡板面向离子束注入方向的一侧设置用于遮挡所述螺丝的碳帽。

可选的，所述螺丝的材质包括钼。

可选的，所述预设角度的范围包括：大于0°并小于90°。

可选的，所述预设角度的范围包括30°~60°。

本说明书一个或多个实施例还提供了一种分析磁场，应用于离子注入设备，包括如上述任一项实施例所述的碳板结构，且所述碳板结构设置于所述分析磁场的底部。

本说明书一个或多个实施例还提供了一种离子注入设备，包括如上述实施例所述的分析磁场。

从上面所述可以看出，本说明书一个或多个实施例提供的碳板结构、分析磁场以及离子注入设备，通过在分析磁场底部的碳板主体上设置与碳板主体具有预设角度的碳制挡板，这样沉积在分析磁场底部的悬浮剥落物在受到离子束轰击时也会被碳制挡板挡住，而不会被离子束引出至玻璃基板表面，从而可以有效抑制沉积在分析磁场底部的悬浮剥落物受离子束撞击而引出至玻璃基板表面导致的注入均一性受到的影响，从而提升工艺的均一性和稳定性，降低不良发生率；并延长分析磁场的使用寿命，降低成本。