[发明专利]基板处理装置在审
申请号: | 202010124216.4 | 申请日: | 2020-02-27 |
公开(公告)号: | CN111755367A | 公开(公告)日: | 2020-10-09 |
发明(设计)人: | 伊东哲生;菊本宪幸;井上一树;山田邦夫 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/67 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 杨贝贝;臧建明 |
地址: | 日本京都府京都市上京区堀*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
本发明提供一种基板处理装置。在基板处理装置(100)中,在基板搬送部(120),设置在索引部(110)与基板处理部(130)之间搬送基板(W)的搬送机器人(122)。搬送风扇过滤单元(126)设置在基板搬送部(120)的上部。排气口(124p)设置在基板搬送部(120)。循环配管(142)将基板搬送部(120)的排气口(124p)与搬送风扇过滤单元(126)连结。排气管(146)与循环配管(142)连接。惰性气体供给部(148)朝循环配管(142)供给惰性气体。循环风扇过滤单元(144)在循环配管(142)中的与排气管(146)的连接部分的下游,相对于循环配管(142)的流路平行地配置。
技术领域
本发明涉及一种基板处理装置。
背景技术
基板处理装置例如用于半导体基板或玻璃基板的制造。在基板处理装置中,利用处理液对基板进行处理后,使基板干燥。近年来,基板结构不断微细化,基板的清洗及干燥成为问题(专利文献1)。在专利文献1的基板处理装置中,通过供给惰性气体来促进处理液的干燥。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:国际公开第2016/199769号公报
发明内容
发明所要解决的问题
近年来,基板的微细处理越来越受到重视。在专利文献1的基板处理装置中,虽然在基板处理时朝基板供给惰性气体,但有时在基板的搬送中基板暴露在氧环境中,存在基板的特性因基板的氧化而下降的担忧。
本发明是鉴于所述课题而成,其目的在于提供一种可抑制搬送中的基板的氧化的基板处理装置。
解决问题的技术手段
根据本发明的一方式,基板处理装置包括:索引机器人、索引部、基板处理部、搬送机器人、基板搬送部、搬送风扇过滤单元、排气口、循环配管、排气管、惰性气体供给部、以及循环风扇过滤单元。所述索引机器人搬入基板。在所述索引部设置所述索引机器人。所述基板处理部对所述基板进行处理。所述搬送机器人在所述索引部与所述基板处理部之间搬送所述基板。在所述基板搬送部设置所述搬送机器人。所述搬送风扇过滤单元设置在所述基板搬送部的上部。所述排气口设置在所述基板搬送部。所述循环配管将所述基板搬送部的所述排气口与所述搬送风扇过滤单元连结。所述排气管与所述循环配管连接。所述惰性气体供给部朝所述循环配管供给惰性气体。所述循环风扇过滤单元在所述循环配管中的与所述排气管的连接部分的下游,相对于所述循环配管的流路平行地配置。
在某一实施方式中,所述循环风扇过滤单元以沿着垂直方向延长的方式配置。
在某一实施方式中,所述基板处理装置还包括调整穿过所述排气管的气体的流动的阀。
在某一实施方式中,所述循环风扇过滤单元朝所述循环配管吹出已从所述惰性气体供给部供给的所述惰性气体。
在某一实施方式中,所述惰性气体供给部具有:第一供给部,以第一流量朝所述循环配管供给所述惰性气体;以及第二供给部,以比所述第一流量多的第二流量朝所述循环配管供给所述惰性气体。
在某一实施方式中,在氧下降模式的情况下,所述第一供给部及所述第二供给部分别朝所述循环配管供给所述惰性气体,在维持低氧模式的情况下,所述第一供给部朝所述循环配管供给所述惰性气体。
在某一实施方式中,所述基板处理装置还包括朝所述循环配管供给空气的空气供给部。
在某一实施方式中,在氧增加模式的情况下,所述空气供给部朝所述循环配管供给所述空气。
在某一实施方式中,所述循环风扇过滤单元朝所述循环配管吹出已从所述空气供给部供给的所述空气。
在某一实施方式中,多个风扇过滤单元作为所述循环风扇过滤单元而并列配置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造