[发明专利]基板处理装置在审
申请号: | 202010124216.4 | 申请日: | 2020-02-27 |
公开(公告)号: | CN111755367A | 公开(公告)日: | 2020-10-09 |
发明(设计)人: | 伊东哲生;菊本宪幸;井上一树;山田邦夫 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/67 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 杨贝贝;臧建明 |
地址: | 日本京都府京都市上京区堀*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
1.一种基板处理装置,包括:
索引机器人,搬入基板;
索引部,设置有所述索引机器人;
基板处理部,对所述基板进行处理;
搬送机器人,在所述索引部与所述基板处理部之间搬送所述基板;
基板搬送部,设置有所述搬送机器人;
搬送风扇过滤单元,设置在所述基板搬送部的上部;
排气口,设置在所述基板搬送部;
循环配管,将所述基板搬送部的所述排气口与所述搬送风扇过滤单元连结;
排气管,与所述循环配管连接;
惰性气体供给部,朝所述循环配管供给惰性气体;以及
循环风扇过滤单元,在所述循环配管中的与所述排气管的连接部分的下游,相对于所述循环配管的流路平行地配置。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中所述循环风扇过滤单元以沿着垂直方向延长的方式配置。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,还包括调整穿过所述排气管的气体的流动的阀。
4.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其中所述循环风扇过滤单元朝所述循环配管吹出已从所述惰性气体供给部供给的所述惰性气体。
5.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其中所述惰性气体供给部具有:
第一供给部,以第一流量朝所述循环配管供给所述惰性气体;以及
第二供给部,以比所述第一流量多的第二流量朝所述循环配管供给所述惰性气体。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置,其中在氧下降模式的情况下,所述第一供给部及所述第二供给部分别朝所述循环配管供给所述惰性气体,
在维持低氧模式的情况下,所述第一供给部朝所述循环配管供给所述惰性气体。
7.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,还包括朝所述循环配管供给空气的空气供给部。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置,其中在氧增加模式的情况下,所述空气供给部朝所述循环配管供给所述空气。
9.根据权利要求7所述的基板处理装置,其中所述循环风扇过滤单元朝所述循环配管吹出已从所述空气供给部供给的所述空气。
10.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其中多个风扇过滤单元作为所述循环风扇过滤单元而并列配置。
11.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其中所述循环风扇过滤单元包含风扇、过滤器、以及化学过滤器。
12.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,还包括收容所述循环配管的一部分及所述循环风扇过滤单元的气体循环柜。
13.根据权利要求12所述的基板处理装置,还包括邻接于所述气体循环柜,朝所述基板处理部供给处理液的处理液柜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造