[发明专利]引线框

说明书

课题在于提供一种引线框，其为在引线框基材的整个面实施了银镀覆作为最表层镀敷的引线框，能够减少成本、操作时间，提高生产率，同时将包括银镀层的镀层整体的厚度抑制为较薄，而且使得与密封树脂的密合性显著提高。解决手段为在由铜系材料构成的引线框基材(10)的整个面具备具有针状的突起组的粗糙化银镀层(11)作为最表层镀层，粗糙化银镀层具有在晶体取向001、111、101各自的比率中晶体取向101的比率最高的晶体结构。

技术领域

本发明涉及在引线框基材的整个面实施了银镀覆作为最表层镀敷的半导体用引线框。

背景技术

引线框是半导体元件搭载用部件之一。以往，大量使用在引线框基材的整个面或者一部分实施了银镀覆作为最表层镀敷的引线框，但银或者含银合金与密封树脂的密合性差，引线框与密封树脂容易由于冲击、热而剥离，因此可靠性存在问题。

对于这个问题，已知下述方法：利用微蚀刻处理使引线框基材的表面成为形成了凹凸的粗糙化状态，从而产生物理锚定效果，提高与密封树脂的密合性。

可是，引线框的制造中大量使用的引线框基材是由含硅的铜合金形成的，会由于微蚀刻处理而产生被称为污物(Smut)的杂质残渣。因此，无法使用通过微蚀刻处理使由铜合金构成的引线框基材的表面成为形成了凹凸的粗糙化状态的方法。

此外，使用由铜合金构成的引线框基材的引线框的情况下，为了确保与接合半导体元件时所用的金属线的良好接合性，必须使基底的由铜合金构成的引线框基材中存在的铜的扩散的影响最小化。因此，不设置基底镀层而直接将由银或者含银合金等贵金属或者贵金属合金构成的镀层形成在由铜合金构成的引线框基材上的情况下，一般有必要使该由贵金属或者贵金属合金构成的镀层的厚度为2μm以上。

另一方面，近年来，半导体封装为了小型化、低成本化，要求轻薄短小的高密度安装。为了小型化，要求使镀层的厚度更薄，从低成本化的观点出发，也要求由贵金属或者贵金属合金构成的镀层的厚度更薄。

使用了由铜合金构成的引线框基材的引线框中，作为用于使由贵金属或者贵金属合金构成的镀层的厚度薄的对策之一，有下述方法：作为由贵金属或者贵金属合金构成的镀层的基底镀层，由具有抑制铜的扩散的效果的镍或者含有镍的合金形成镀层，从而使由贵金属或者贵金属合金构成的镀层的厚度薄。

可是，即使使得由贵金属或者贵金属合金构成的镀层的厚度薄，也无法提高与树脂的密合性。

作为与这些问题相关的现有技术，专利文献1中公开了关于由贵金属或者贵金属合金构成的镀层的基底镀层的下述技术：在铜合金的整个面形成致密且平坦的镍镀层，在其上形成纵向的晶体生长比横向的晶体生长优先的镍镀层，使表面成为具有凹凸的面，从而产生物理锚定效果，提高与密封树脂的密合性。

此外，专利文献2中公开了关于由贵金属或者贵金属合金构成的镀层的基底镀层的下述技术：在铜合金上形成山型的镍镀层后，在其上形成流平性好的镍镀层从而使凹凸形状呈半球形，从而提高与密封树脂的密合性并防止环氧树脂成分的渗出。

此外，专利文献3中公开了在表面粗糙的镍层上形成由金层和银层构成的贵金属镀层的技术。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特许第3259894号公报

专利文献2：日本特许第4853508号公报

专利文献3：日本特许第5151438号公报

发明内容

发明所要解决的课题