[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，具备：

衬底；

第1导电体层，设置于所述衬底的上方；

第2导电体层，设置于所述第1导电体层的上方；

第3导电体层及第4导电体层，设置于所述第2导电体层的上方，且彼此在第1方向上分离；

第5导电体层，设置于所述第2导电体层的上方且与所述第3导电体层相同的层，并且与所述第3导电体层分离；

第6导电体层，设置于所述第2导电体层的上方且与所述第4导电体层相同的层，并且与所述第4导电体层分离；

多个第1绝缘区域，沿着与所述第1方向交叉的第2方向设置在所述第3导电体层与所述第5导电体层之间、且所述第4导电体层与所述第6导电体层之间；

第1柱，沿着所述第1方向贯通所述第2导电体层且设置于所述多个第1绝缘区域间，并且包含与所述第1导电体层接触的第1半导体层、及设置于所述第1半导体层与所述第2至第6导电体层之间的第1绝缘体层；

第7导电体层，设置于所述第1导电体层的上方且与所述第2导电体层相同的层，并且与所述第2导电体层分离；

第8导电体层及第9导电体层，设置于所述第7导电体层的上方，且彼此在所述第1方向上分离；

第10导电体层，设置于所述第7导电体层的上方且与所述第8导电体层相同的层，并且与所述第8导电体层分离；

第11导电体层，设置于所述第7导电体层的上方且与所述第9导电体层相同的层，并且与所述第9导电体层分离；

多个第2绝缘区域，沿着所述第2方向设置在所述第8导电体层与所述第10导电体层之间、且所述第9导电体层与所述第11导电体层之间；

第2柱，沿着所述第1方向贯通所述第7导电体层且设置于所述多个第2绝缘区域间，并且包含与所述第1导电体层接触的第2半导体层、及设置于所述第2半导体层与所述第7至第11导电体层之间的第2绝缘体层；

第3绝缘区域，沿着所述第2方向设置在所述第3至第6导电体层与所述第8至第11导电体层之间；以及

第4绝缘区域，设置于所述第2导电体层与所述第7导电体层之间，且在俯视下与所述第3绝缘区域分离。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

所述第4绝缘区域在俯视下设置于所述第1柱与所述第2柱之间。

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

所述第1柱及所述第2柱分别与所述第4绝缘区域分离。

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

所述第4导电体层与所述第8导电体层介隔所述第3绝缘区域在与所述第1方向及所述第2方向分别交叉的第3方向上相邻，

所述第5导电体层与所述第9导电体层介隔所述第3绝缘区域在所述第3方向上相邻。

5.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其还具备第3柱，

所述第3柱贯通所述第2导电体层及所述第7导电体层中的任一个且沿着所述第1方向延伸而设置，并且包含所述第3至第6导电体层与所述第8至第11导电体层之间的第3绝缘体层。

6.根据权利要求5所述的半导体存储装置，其中

所述第3柱在所述第2方向上将所述第3绝缘区域分断，

所述第3绝缘体层与所述第4导电体层、所述第5导电体层、所述第8导电体层及所述第9导电体层分别接触。

7.根据权利要求5所述的半导体存储装置，其中

所述第4绝缘区域在俯视下与所述第3绝缘区域在所述第3方向上分离。

8.根据权利要求5所述的半导体存储装置，其中

所述第4绝缘区域具有在俯视下沿着所述第3柱的侧面设置的部分。

9.根据权利要求5所述的半导体存储装置，其中

所述第3绝缘区域在俯视下与所述第2导电体层及所述第7导电体层中的任一个重叠。