[发明专利]一种显示面板及其制备方法在审
申请号: | 202010089598.1 | 申请日: | 2020-02-11 |
公开(公告)号: | CN111146265A | 公开(公告)日: | 2020-05-12 |
发明(设计)人: | 刘世奇 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 远明 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 及其 制备 方法 | ||
本发明公开了一种显示面板及其制备方法,显示面板包括发光区和非发光区,第一基板,其一面具有接引走线;第二基板,盖接于第一基板具有接引走线的一面;第二基板包括盖板;第一电极,设于盖板朝向第一基板的一面,发光层,设于发光区的第一电极远离盖板的一面;第二电极,从非发光区延伸至发光层远离盖板的一面,且非发光区的第二电极连接于接引走线。本发明的有益效果在于本发明的显示面板及其制备方法通过在显示面板的盖板一侧制备阳极和阴极,在阵列基板一侧对应阴极的位置制备接引走线,从而使阳极具有良好的平整度,提高显示面板的发光效率和使用寿命。
技术领域
本发明涉及显示领域,特别涉及一种显示面板及其制备方法。
背景技术
AMOLED(英语:Active-matrix organic light-emitting diode,中译:有源矩阵有机发光二极体或主动矩阵有机发光二极体)是一种显示屏技术。其中OLED(有机发光二极体)是描述薄膜显示技术的具体类型:有机电激发光显示;AM(有源矩阵体或称主动式矩阵体)是指背后的像素寻址技术。
随着人们对面板显示质量的高要求,AMOLED显示逐渐由于其色域及对比度优势占据了高端显示市场,但其仍存在着较大的改进空间。目前多数的OLED制备采用蒸镀的方式,近些年打印形式的OLED制备,已经逐渐显露头角,其具备着高材料利用率的优势,成为未来AMOLED显示的主要发展方向。
发明内容
为了解决上述技术问题,本发明提供了一种显示面板及其制备方法用以解决现有技术中由于阵列基板上走线过多从而影响阳极的平整的技术问题。
解决上述技术问题的技术方案是:本发明提供了一种显示面板,包括发光区和围绕所述发光区的非发光区,以及第一基板,其一面具有接引走线;第二基板,盖接于所述第一基板具有接引走线的一面;所述第二基板包括盖板;第一电极,设于所述盖板朝向所述第一基板的一面,从所述非发光区延伸至所述发光区;发光层,设于所述发光区的所述第一电极远离所述盖板的一面;第二电极,从所述非发光区延伸至所述发光层远离所述盖板的一面,且所述非发光区的所述第二电极连接于所述接引走线。
进一步的,所述第二基板还包括挡墙层,设于所述第一电极上,所述挡墙层中具有若干开口和围绕所述开口的挡墙结构,所述挡墙结构设于所述非发光区中,所述第一电极裸露于所述开口中,所述发光层中具有若干发光单元,每一发光单元对应设于所述开口中,所述第二电极从对应的所述发光单元的表面延伸至所述非发光区的所述挡墙结构上。
进一步的,所述接引走线与设于所述非发光区中的所述第二电极相对应。
进一步的,所述第一基板还包括衬底基板;遮光金属层,设于所述衬底基板上的非发光区中;缓冲层,设于所述第二基板上且覆盖所述遮光金属层;有源层,设于所述缓冲层上;第一绝缘层,设于所述有源层上,其中所述第一绝缘层在所述衬底基板的正投影完全落入所述有源层在所述衬底基板的正投影内;第一金属层,设于所述第一绝缘层上;第二绝缘层,设于所述缓冲层上且覆盖所述有源层、所述第一绝缘层和所述第一金属层。
进一步的,所述有源层包括第一有源层,设于所述非发光区中且对应所述遮光金属层;第二有源层,设于所述发光区中;第二金属层设于所述第二绝缘层上,所述第二金属层包括第一金属段,设于所述非发光区中且对应所述第一有源层,其中,所述第一金属段包括至少两个引脚,其中一引脚贯穿所述第二绝缘层与所述第一有源层相连,另一引脚贯穿所述第二绝缘层和所述缓冲层与所述遮光金属层连接。
进一步的,还包括第三绝缘层,设于所述第二绝缘层上且覆盖所述第二金属层,所述第二绝缘层对应所述第一金属段处开设有一开孔;所述接引走线设于所述开孔内壁且覆盖所述第一金属段裸露于所述开孔的区域。
进一步的,所述接引走线的材料包括铟锌氧化物、氧化铟锡、铝、银中的至少一种。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的