[发明专利]氮化铝层叠构件以及发光器件在审
申请号: | 202010086455.5 | 申请日: | 2020-02-11 |
公开(公告)号: | CN111564539A | 公开(公告)日: | 2020-08-21 |
发明(设计)人: | 藤仓序章 | 申请(专利权)人: | 赛奥科思有限公司;住友化学株式会社 |
主分类号: | H01L33/20 | 分类号: | H01L33/20;H01L33/32 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 氮化 层叠 构件 以及 发光 器件 | ||
本发明涉及氮化铝层叠构件以及发光器件。提供一种AlN层叠构件,其在周期性地配置有凸部的蓝宝石基板上具备具有平坦的表面、且以内部实质上不含空孔的方式生长而成的AlN层。氮化铝层叠构件具备:蓝宝石基板,其具有周期性地配置有高度为500nm以下的凸部的基底面;以及,氮化铝层,其生长在基底面上,表面为平坦面,且内部实质上不含空孔。
技术领域
本发明涉及氮化铝层叠构件以及发光器件。
背景技术
作为例如紫外发光二极管(LED)的制作方法,提出了在形成有周期性的凹凸形状的蓝宝石基板上使氮化铝(AlN)层生长的技术(例如参见非专利文献1)。作为蓝宝石基板的凹凸形状,已知有凹部周期性(且离散)地配置的形状、以及凸部周期性(且离散)地配置的形状(对于在设置有凹部的蓝宝石基板上使AlN层生长的技术,例如参见非专利文献2)。
现有技术文献
非专利文献
非专利文献1:H.Miyake等、“HVPE growth of thick AlN on trench-patternedsubstrate”、Phys Status Solidi C 8、No.5、1483-1486(2011)
非专利文献2:L.Zhang等、“High-quality AlN epitaxy on nano-patternedsapphire substrates prepared by nano-imprint lithography”、Scientific Reports6、35934(2016)
发明内容
以往的技术中,使用周期性地配置有凸部的蓝宝石基板时,会生长出不规则且杂乱的AlN晶体,因此无法使AlN层以具有平坦的表面的方式生长。
另外,虽然通过使用周期性地配置有凹部的蓝宝石基板能够形成具有平坦的表面的AlN层,但在这种技术中,会在AlN层的内部形成空洞(空孔)(参见非专利文献2)。如后所述,这样的空孔在将得到的AlN层应用于例如UV-LED时是不利的。
本发明的一个目的在于提供一种AlN层叠构件,其在周期性地配置有凸部的蓝宝石基板上具备具有平坦的表面、且以内部实质上不含空孔的方式生长而成的AlN层。
本发明的另一目的在于提供具备这样的AlN层叠构件的发光器件。
根据本发明的一个实施方式,提供一种氮化铝层叠构件,其具备:
蓝宝石基板,其具有周期性地配置有高度为500nm以下的凸部的基底面;以及,
氮化铝层,其生长在前述基底面上,表面为平坦面,且内部实质上不含空孔。
根据本发明的另一实施方式,提供一种发光器件,
其具备上述一个实施方式的氮化铝层叠构件。
提供一种氮化铝层叠构件,其在周期性地配置有凸部的蓝宝石基板上具备具有平坦的表面、且以内部实质上不含空孔的方式生长而成的氮化铝层。另外,提供具备这样的AlN层叠构件的发光器件。
附图说明
图1为本发明的一个实施方式的层叠构件100的例示性截面示意图。
图2为一个实施方式的基板10的例示性俯视示意图。
图3为示出实验例的结果的AFM图像和光学显微镜图像。
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