[发明专利]一种晶体管存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种晶体管存储器，包括自上而下设置的源漏电极、有机半导体层、有机有源层、栅绝缘层和栅电极，其特征在于：所述的有机有源层包括自下而上设置的第一聚合物绝缘层、三碘合铅酸铯膜和第二聚合物绝缘层，其中所述的三碘合铅酸铯膜的厚度为15-20nm。

2.根据权利要求1所述的晶体管存储器，其特征在于：制备所述的第一聚合物绝缘层和所述的第二聚合物绝缘层的材料选自相同或不同的材料，所选自的材料包括聚苯乙烯、聚乙烯吡咯烷酮、聚甲基丙烯酸甲脂。

3.根据权利要求1所述的晶体管存储器，其特征在于：所述的第一聚合物绝缘层的膜厚大于所述的第二聚合物绝缘层的膜厚，所述的第一聚合物绝缘层的厚度为30-35nm，所述的第二聚合物绝缘层的厚度为10-15nm。

4.制备权利要求1-3任一项所述的晶体管存储器的方法，其特征在于，包括以下步骤：

配置溶液：包括配置制备第一聚合物绝缘层的聚合物溶液A、第二聚合物绝缘层的聚合物溶液B和三碘合铅酸铯溶液；

制备晶体管：在完成栅电极和栅绝缘层制作的衬底上采用所配置的相对应的溶液依次制作第一聚合物绝缘层、三碘合铅酸铯膜和第二聚合物绝缘层的膜层，之后完成有机半导体层和源漏电极的制作。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于：所配置聚合物溶液A和聚合物溶液B为聚甲基丙烯酸甲脂溶液、聚苯乙烯溶液或聚乙烯吡咯烷酮溶液，所述的聚合物溶液A的浓度为5～7mg/ml，所述的聚合物溶液B的浓度为1～3mg/ml，配置时所选用的溶剂为乙酸乙酯。

6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于：所配置制备三碘合铅酸铯膜溶液的浓度为1～3mg/ml，配置溶液所采用的溶剂为正己烷。

7.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于：采用旋涂法依次制备第一聚合物绝缘层、三碘合铅酸铯膜和第二聚合物绝缘层的膜层，并将涂覆完成的膜层进行烘干处理。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于：采用所述的旋涂法制备膜层时，采用相同的旋涂转速和旋涂时间，旋涂的转速为2500-3500r/min，旋涂的时间为30-45s。

9.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于：采用真空蒸镀发制备所述的有机半导体层，所述的有机半导体层的材料为并五苯，厚度为30-50nm。