[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包含：

形成前驱结构，所述前驱结构包含：

基板，具有上表面、下表面、及穿孔贯通所述基板；

衬垫，位于所述穿孔的侧壁、所述基板的所述上表面上及所述下表面下；

导体，位于所述穿孔中；

晶种层，位于所述衬垫与所述导体之间；

第一绝缘层及第二绝缘层，分别位于所述基板的所述上表面之上及所述下表面之下，其中所述第一绝缘层及所述第二绝缘层分别具有第一通孔和第二通孔暴露出所述导体；以及

第一重分布层及第二重分布层，分别通过所述第一通孔及所述第二通孔与所述导体接触；

在所述第一绝缘层及所述第二绝缘层中分别形成第一开口及第二开口，以暴露所述衬垫的一部分；

通过所述第一开口及所述第二开口蚀刻所述衬垫以形成围绕所述导体的空气隙；以及

填充所述第一开口及所述第二开口以密封所述空气隙。

2.权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述导体具有第一表面，位于所述基板的所述上表面上的所述衬垫具有顶表面，并且所述第一表面与所述顶表面齐平。

3.权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述导体具有直径，位于所述基板的所述上表面上的所述衬垫具有第一长度，并且所述第一长度为所述直径的1/2-1/3。

4.权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一重分布层及所述第二重分布层共同地夹持所述导体。

5.权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一重分布层具有横向部分在所述第一绝缘层上沿第一方向延伸，并且所述第二重分布层具有横向部分在与所述第一方向相反的第二方向上延伸。

6.权利要求1所述的制造方法，其特征在于，从俯视方向看，所述第一开口在位于所述第一通孔上的所述第一重分布层周围具有连续图案，并且所述第二开口在位于所述第二通孔下的所述第二重分布层周围具有连续图案。

7.权利要求1所述的制造方法，其特征在于，从俯视方向看，所述第一开口包含多个分离的片段围绕位于所述第一通孔上的所述第一重分布层，并且所述第二开口包含多个分离的片段围绕位于所述第二通孔下方的所述第二重分布层。

8.权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述导体电性连接所述第一重分布层及所述第二重分布层。

9.权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述空气隙分离所述导体及所述基板。

10.权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成所述前驱结构包含：

从半导体基板的前侧在所述半导体基板中形成凹槽；

在所述半导体基板上及所述凹槽中形成第一衬垫层、晶种材料层及所述导体；

通过第一光阻掩模图案化所述第一衬垫层；

在所述半导体基板上形成所述第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上及所述第一通孔中形成所述第一重分布层；

从所述半导体基板的背侧薄化所述半导体基板，以暴露所述导体；

在所述背侧通过第二光阻掩模形成图案化第二衬垫层；

在所述基板之下形成所述第二绝缘层；以及

在所述第二绝缘层之下及所述第二通孔中形成所述第二重分布层。