[发明专利]有机发光二极管显示器

说明书

一种有机发光二极管显示器包括：沟道形成在多晶半导体层中的第一薄膜晶体管；沟道形成在氧化物半导体层中的第二薄膜晶体管；电连接到第一薄膜晶体管的有机发光二极管；具有第一电极和第二电极的存储电容器，其中存储电容器的第二电极电连接到第一薄膜晶体管的栅电极；以及在平面图中与氧化物半导体层重叠并且接收正电压的重叠层。氧化物半导体层被放置得比第一薄膜晶体管的栅电极和存储电容器的第二电极高。

相关申请的交叉引用

本申请要求2019年2月8日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2019-0015016号的优先权，该韩国专利申请的全部公开通过引用合并于此。

技术领域

本发明涉及有机发光二极管显示器，并且更具体地，涉及包括使用不同的半导体层的晶体管的有机发光二极管显示器。

背景技术

近来，有机发光二极管显示器作为用于显示图像的设备已引起关注。

与液晶显示设备不同，由于有机发光二极管显示器是自发光的而没有光源，因此能减小厚度和重量。此外，有机发光二极管显示器具有诸如低功耗、高亮度和高响应速度的高质量特性。

通常，有机发光二极管显示器包括基板、布置在基板上的多个薄膜晶体管、布置在用于配置薄膜晶体管的布线之间的多个绝缘膜、以及连接到薄膜晶体管的有机发光二极管(OLED)。具体地，为了允许一个有机发光二极管(OLED)发光，使用至少两个或更多个薄膜晶体管。

在该背景部分中公开的上述信息仅仅是为了增强对本发明背景的理解，因此其可包含不构成在本国为本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

通过用于驱动一个有机发光二极管(OLED)的多个晶体管中的一些来改善这些晶体管的可靠性和/或通过其他晶体管来去除这些晶体管的漏电流，本实施例已经改善了有机发光二极管显示器的显示质量。另外，本实施例已致力于提供可以稳定使用氧化物半导体的晶体管的特性的有机发光二极管显示器。此外，本实施例已致力于提供可以具有在不增加工艺数量的情况下形成有机发光二极管显示器所需的这样的结构的有机发光二极管显示器。

根据本发明的示例性实施例，有机发光二极管显示器包括：基板；布置在基板上的多晶半导体层；覆盖多晶半导体层的第一绝缘膜；布置在第一绝缘膜上的第一导体；覆盖第一导体和第一绝缘膜的第二绝缘膜；布置在第二绝缘膜上的第二导体；覆盖第二绝缘膜和第二导体的第三绝缘膜；布置在第三绝缘膜上的氧化物半导体层；覆盖氧化物半导体层和第三绝缘膜的第四绝缘膜；布置在第四绝缘膜上的第三导体；覆盖第三导体和第四绝缘膜的第五绝缘膜；布置在第五绝缘膜上的第四导体；以及覆盖第四导体和第五绝缘膜的钝化层。第一导体包括驱动晶体管的栅电极，驱动晶体管的栅电极与多晶半导体层重叠以形成驱动晶体管，并且第二导体包括与驱动晶体管的栅电极重叠的存储电极以及与氧化物半导体层重叠的重叠层。

根据本发明的示例性实施例，有机发光二极管显示器包括：沟道形成在多晶半导体层中的第一薄膜晶体管；沟道形成在氧化物半导体层中的第二薄膜晶体管；电连接到第一薄膜晶体管的有机发光二极管；具有第一电极和第二电极的存储电容器，其中存储电容器的第二电极电连接到第一薄膜晶体管的栅电极；以及在平面图中与氧化物半导体层重叠并且接收正电压的重叠层。氧化物半导体层被放置得比第一薄膜晶体管的栅电极和存储电容器的第二电极高。

附图说明

图1图示了根据实施例的有机发光二极管显示器的一个像素的等效电路图。

图2图示了根据实施例的施加到有机发光二极管显示器的一个像素的信号的时序图。

图3图示了根据实施例的有机发光二极管显示器的一个像素区域的布局图。

图4图示了沿图3的线IV-IV截取的截面图。

图5图示了沿图3的线V-V截取的截面图。