[发明专利]有机发光二极管显示器在审
申请号: | 202010080474.7 | 申请日: | 2020-02-05 |
公开(公告)号: | CN111554704A | 公开(公告)日: | 2020-08-18 |
发明(设计)人: | 车明根;崔相虔;金相燮;辛知映;李镕守;崔起锡 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L27/12;G09G3/3233 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 于会玲;康泉 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示器 | ||
1.一种有机发光二极管显示器,包括:
基板;
布置在所述基板上的多晶半导体层;
覆盖所述多晶半导体层的第一绝缘膜;
布置在所述第一绝缘膜上的第一导体;
覆盖所述第一导体和所述第一绝缘膜的第二绝缘膜;
布置在所述第二绝缘膜上的第二导体;
覆盖所述第二绝缘膜和所述第二导体的第三绝缘膜;
布置在所述第三绝缘膜上的氧化物半导体层;
覆盖所述氧化物半导体层和所述第三绝缘膜的第四绝缘膜;
布置在所述第四绝缘膜上的第三导体;
覆盖所述第三导体和所述第四绝缘膜的第五绝缘膜;
布置在所述第五绝缘膜上的第四导体;以及
覆盖所述第四导体和所述第五绝缘膜的钝化层,
其中所述第一导体包括驱动晶体管的栅电极,所述驱动晶体管的所述栅电极与所述多晶半导体层重叠以形成所述驱动晶体管,并且
其中所述第二导体包括与所述驱动晶体管的所述栅电极重叠的存储电极以及与所述氧化物半导体层重叠的重叠层。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中,
所述存储电极包括暴露所述驱动晶体管的所述栅电极的至少一部分的开口,
所述第四导体进一步包括第一连接构件,并且
所述第一连接构件的第一端通过所述存储电极的所述开口电连接到所述驱动晶体管的所述栅电极,并且所述第一连接构件的第二端电连接到所述氧化物半导体层。
3.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示器,其中,
所述第一连接构件的所述第二端连接到布置在与所述重叠层重叠的所述氧化物半导体层中的第三晶体管的一个电极。
4.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中,
所述第四导体包括电连接所述氧化物半导体层和所述多晶半导体层的连接构件。
5.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中,
所述第一导体包括在第一方向上延伸的扫描线,并且
所述扫描线和所述多晶半导体层彼此重叠以形成第二晶体管。
6.根据权利要求5所述的有机发光二极管显示器,其中,
所述第一导体进一步包括在所述第一方向上延伸的发光控制线,
所述多晶半导体层包括在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸的第一多晶半导体层和第二多晶半导体层,
所述发光控制线和所述第一多晶半导体层彼此重叠以形成第五晶体管,
所述发光控制线和所述第二多晶半导体层彼此重叠以形成第六晶体管,并且
所述多晶半导体层进一步包括第三多晶半导体层,所述第三多晶半导体层连接所述第一多晶半导体层和所述第二多晶半导体层,并且与所述驱动晶体管的所述栅电极重叠。
7.根据权利要求5所述的有机发光二极管显示器,其中,
所述第三导体包括在所述第一方向上延伸的主反转扫描线,并且
所述主反转扫描线和所述氧化物半导体层彼此重叠以形成第三晶体管。
8.根据权利要求7所述的有机发光二极管显示器,其中,
所述重叠层电连接到所述第三晶体管的一个电极。
9.根据权利要求7所述的有机发光二极管显示器,其中,
所述第三导体进一步包括在所述第一方向上延伸的先前反转扫描线,并且
所述先前反转扫描线的突出部分和所述氧化物半导体层彼此重叠以形成第四晶体管。
10.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中,
所述重叠层被施加与施加到所述存储电极的电压相同的电压或正电压。
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