[发明专利]用于增强的异构集成的嵌套架构在审

专利信息
申请号: 202010079608.3 申请日: 2020-02-04
公开(公告)号: CN111653560A 公开(公告)日: 2020-09-11
发明(设计)人: R.马哈延;D.马利克;S.沙兰;D.劳兰 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: H01L25/18 分类号: H01L25/18;H01L23/48;H01L21/98
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 付曼;刘春元
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 用于 增强 集成 嵌套 架构
【权利要求书】:

1.一种电子封装,包括:

基底衬底,所述基底衬底具有多个贯穿衬底通孔;

所述基底衬底上方的第一管芯;

进入所述基底衬底中的第一腔,其中所述第一腔至少部分地在所述第一管芯的占用区内;以及

所述第一腔中的第一构件。

2.根据权利要求1所述的电子封装,其中所述第一构件是第二管芯。

3.根据权利要求2所述的电子封装,其中所述第二管芯包括贯穿衬底通孔。

4.根据权利要求2所述的电子封装,其中所述第二管芯的有源表面面向所述第一管芯的有源表面。

5.根据权利要求2所述的电子封装,其中所述第二管芯的有源表面背向所述第一管芯的有源表面。

6.根据权利要求1所述的电子封装,其中所述第一构件是无源电构件。

7.根据权利要求1所述的电子封装,其中所述第一构件是热电冷却(TEC)模块。

8.根据权利要求1、2、3、4、5、6或7所述的电子封装,其中所述第一腔完全在所述第一管芯的所述占用区内。

9.根据权利要求1、6或7所述的电子封装,进一步包括:

所述基底衬底上方的第二管芯。

10.根据权利要求9所述的电子封装,其中所述第一腔至少部分在所述第二管芯的占用区内。

11.根据权利要求9所述的电子封装,其中所述第一构件将所述第一管芯电耦合到所述第二管芯。

12.根据权利要求9所述的电子封装,进一步包括:

进入所述基底衬底中的第二腔,其中所述第二腔完全在所述第一管芯的所述占用区内。

13.根据权利要求12所述的电子封装,进一步包括:

所述第二腔中的第二构件。

14.根据权利要求9所述的电子封装,其中所述第一管芯通过所述基底衬底上的一个或多个迹线电耦合到所述第二管芯。

15.根据权利要求1、2、3、4、5、6或7所述的电子封装,其中所述基底衬底是无源衬底。

16.根据权利要求1、2、3、4、5、6或7所述的电子封装,其中所述基底衬底是有源衬底。

17.一种形成电子封装的方法,包括:

形成部分穿过基底衬底的贯穿衬底通孔(TSV);

使所述基底衬底变薄,其中所述TSV未暴露;

将载体附接到所述基底衬底;

将腔形成到所述基底衬底中,其中所述腔使多个衬垫暴露;

将构件附接到所述多个衬垫;

将所述构件嵌入模制层内;

使所述基底衬底平面化,其中所述平面化使所述TSV暴露;

移除所述载体;以及

将管芯附接到所述基底衬底。

18.根据权利要求17所述的方法,其中所述构件的有源表面面向所述管芯的有源表面。

19.根据权利要求17或18所述的方法,其中所述腔至少部分在所述管芯的占用区内。

20.根据权利要求17或18所述的方法,其中所述构件是第二管芯。

21.根据权利要求20所述的方法,其中所述第二管芯包括贯穿衬底通孔。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司,未经英特尔公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010079608.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top