[发明专利]基板处理方法和基板处理装置

说明书

本发明提供一种减小蚀刻第一区域和第二区域时的形状的差异的基板处理方法和基板处理装置，该第一区域具有氧化硅膜和氮化硅膜的层叠膜，该第二区域具有氧化硅膜的单层膜。基板处理方法具有以下工序：提供具有第一区域和第二区域的第一基板及第二基板的工序，第一区域具有氧化硅膜和氮化硅膜的层叠膜，第二区域具有氧化硅膜的单层膜；改变含硫气体的流量，以各流量使用处理气体蚀刻第一基板，求出含硫气体的流量与形状差之间的关系的工序，形状差为形成于第一区域的凹部的形状与形成于第二区域的凹部的形状的形状差；根据关系，决定含硫气体的流量的工序；以及以决定出的含硫气体的流量来蚀刻第二基板的工序。

技术领域

本公开涉及一种基板处理方法和基板处理装置。

背景技术

已知一种通过向腔室内导入处理气体，并且向腔室内的电极施加高频电力来对基板实施蚀刻处理等期望的处理的基板处理装置。

在专利文献1中公开了一种蚀刻第一区域和第二区域的方法，所述第一区域具有通过交替地设置氧化硅膜和氮化硅膜而构成的层叠膜，所述第二区域具有氧化硅膜的单层膜。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2016-051750号公报

发明内容

发明要解决的问题

在一个方面中，本公开提供一种减少蚀刻第一区域和第二区域时的形状的差异的基板处理方法和基板处理装置，该第一区域具有氧化硅膜和氮化硅膜的层叠膜，该第二区域具有氧化硅膜的单层膜。

用于解决问题的方案

为了解决上述问题，根据一个方式，提供一种基板处理方法，所述基板处理方法具有以下工序：提供具有第一区域和第二区域的第一基板及第二基板的工序，所述第一区域具有氧化硅膜和氮化硅膜的层叠膜，所述第二区域具有氧化硅膜的单层膜；改变含硫气体的流量，以各流量使用处理气体蚀刻所述第一基板，求出所述含硫气体的流量与形状差之间的关系的工序，所述形状差为形成于所述第一区域的凹部的形状与形成于所述第二区域的凹部的形状的形状差；根据所述关系，决定所述含硫气体的流量的工序；以及以决定出的所述含硫气体的流量来蚀刻所述第二基板的工序。

发明的效果

根据一个方面，能够提供一种减少蚀刻第一区域和第二区域时的形状的差异的基板处理方法和基板处理装置，该第一区域具有氧化硅膜和氮化硅膜的层叠膜，该第二区域具有氧化硅膜的单层膜。

附图说明

图1是示出本实施方式所涉及的基板处理装置的一例的截面示意图。

图2是示出在本实施方式所涉及的基板处理装置中被处理的第一基板和第二基板的结构的一例的截面示意图。

图3是说明本实施方式所涉及的基板处理装置所进行的基板处理的流程图。

图4是说明通过蚀刻处理而形成的凹部的各尺寸的示意图。

图5是示出通过蚀刻处理而形成的凹部的各尺寸与含硫气体的流量之间的关系的曲线图。

具体实施方式

下面参照附图来说明用于实施本公开的方式。在各附图中，对同一结构部分标注同一标记，有时省略重复的说明。

使用图1来说明本实施方式所涉及的基板处理装置1。图1是表示本实施方式所涉及的基板处理装置1的一例的截面示意图。