[发明专利]基板处理方法和基板处理装置

权利要求书

1.一种基板处理方法，具有以下工序：

提供具有第一区域和第二区域的第一基板及第二基板的工序，所述第一区域具有氧化硅膜和氮化硅膜的层叠膜，所述第二区域具有氧化硅膜的单层膜；

改变含硫气体的流量，以各流量使用处理气体蚀刻所述第一基板，求出所述含硫气体的流量与形状差之间的关系的工序，所述形状差为形成于所述第一区域的凹部的形状与形成于所述第二区域的凹部的形状的形状差；

根据所述关系，决定所述含硫气体的流量的工序；以及

以决定出的所述含硫气体的流量来蚀刻所述第二基板的工序。

2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，

求出所述关系的工序求出所述含硫气体的流量与最大关键尺寸之差之间的关系，所述最大关键尺寸之差为形成于所述第一区域的凹部的最大关键尺寸与形成于所述第二区域的凹部的最大关键尺寸之差。

3.根据权利要求2所述的基板处理方法，其特征在于，

所述最大关键尺寸之差相对于所述第一区域的最大关键尺寸为5％以下。

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，

求出所述关系的工序求出所述含硫气体的流量与蚀刻速率之差之间的工序，所述蚀刻速率之差为形成于所述第一区域的凹部的蚀刻速率与形成于所述第二区域的凹部的蚀刻速率之差。

5.根据权利要求1至4中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，

求出所述关系的工序求出所述含硫气体的流量与凹部的深度之差之间的关系，所述凹部的深度之差为形成于所述第一区域的凹部的深度与形成于所述第二区域的凹部的深度之差。

6.根据权利要求1至5中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，

所述第一基板在所述第一区域和所述第二区域之上具有掩模，

求出所述关系的工序求出所述含硫气体的流量与所述掩模的最小宽度之差之间的关系，所述掩模的最小宽度之差为形成于所述第一区域的凹部的所述掩模的最小宽度与形成于所述第二区域的凹部的所述掩模的最小宽度之差。

7.根据权利要求1至6中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，

包括以下的工序：使用不包含所述含硫气体的处理气体以使所述形状差为规定的范围内的方式来蚀刻所述第一基板，决定所述含硫气体以外的处理气体的条件。

8.根据权利要求1至7中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，

所述第一基板为测试用的基板，

所述第二基板为半导体器件制造用的基板。

9.根据权利要求1至8中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，

所述含硫气体包括COS、SO₂、SF₆中的至少一个。

10.根据权利要求1至9中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，

所述处理气体包括CH₂F₂、C₄F₆、C₄F₈中的至少一个。

11.一种基板处理方法，具有：

提供具有第一区域和第二区域的第一基板的工序，所述第一区域具有氧化硅膜和氮化硅膜的层叠膜，所述第二区域具有氧化硅膜的单层膜；以及

改变含硫气体的流量，以各流量蚀刻所述第一基板，以根据所述含硫气体的流量与形状差之间的关系决定出的所述含硫气体的流量来蚀刻第二基板的工序，所述形状差为形成于所述第一区域的凹部的形状与形成于所述第二区域的凹部的形状的形状差。

12.一种基板处理装置，具备：

腔室；

支承台，其配置在所述腔室内，支承基板；

气体供给部，其向所述腔室内供给气体；以及

控制部，

其中，所述控制部执行以下的工序：

提供具有第一区域和第二区域的第一基板的工序，所述第一区域具有氧化硅膜和氮化硅膜的层叠膜，所述第二区域具有氧化硅膜的单层膜；

改变含硫气体的流量，以各流量使用处理气体蚀刻所述第一基板，求出所述含硫气体的流量与形状差之间的关系的工序，所述形状差为形成于所述第一区域的凹部的形状与形成于所述第二区域的凹部的形状的形状差；

根据所述关系，决定所述含硫气体的流量的工序；以及

以决定出的所述含硫气体的流量蚀刻第二基板的工序。