[发明专利]一种半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

第一导电类型半导体层；

第二导电类型半导体区，设置在所述第一导电类型半导体层的第一表面内；

第一导电类型半导体区，设置在所述第二导电类型半导体区内；

漂移区，设置在所述第一导电类型半导体层的第一表面上，所述漂移区是第一导电类型；

阱区，设置在所述漂移区内，且与所述第一导电类型半导体区接触，所述阱区是第二导电类型；

栅极绝缘层，至少形成在所述阱区侧面，且与所述第一导电类型半导体区接触；

栅极，设置在所述栅极绝缘层上；

源极，设置在所述第一导电类型半导体区上。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

漏极，设置在所述第一导电类型半导体层的第二表面上。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述漂移区设置在相邻两个所述源极之间。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述栅极绝缘层覆盖所述漂移区。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述阱区的掺杂浓度为1×10¹⁵cm^-3-5×10¹⁸cm^-3。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述漂移区的高度为0.3μm-1.0μm，所述漂移区的宽度为1.0μm-5.0μm。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述阱区的高度为0.1μm-0.5μm，所述阱区的宽度为0.1μm-1.0μm。

8.一种制造半导体器件的方法，其特征在于，包括：

形成第一导电类型半导体层；

在所述第一导电类型半导体层的第一表面内形成第二导电类型半导体区；

在所述第二导电类型半导体区内形成第一导电类型半导体区；

在所述第一导电类型半导体层的第一表面上形成漂移区，所述漂移区是第一导电类型；

在所述漂移区内形成阱区，所述阱区与所述第一导电类型半导体区接触，所述阱区是第二导电类型；

至少在所述阱区侧面形成栅极绝缘层，所述栅极绝缘层与所述第一导电类型半导体区接触；

在所述栅极绝缘层上形成栅极；

在所述第一导电类型半导体区上形成源极。

9.根据权利要求8所述的制造半导体器件的方法，其特征在于，所述在所述第一导电类型半导体层的第一表面上形成漂移区，包括：

通过外延生长在所述第一导电类型半导体层的第一表面上形成第一导电类型材料层；

通过刻蚀的方法去除部分覆盖在所述源极上部的所述第一导电类型材料层，形成所述漂移区。

10.根据权利要求8所述的制造半导体器件的方法，其特征在于，所述在所述漂移区内形成阱区，包括：

通过离子注入的方式在所述漂移区内形成阱区，其中，注入能量为50KeV-900KeV，注入的剂量为5×10¹²cm^-2-1×10¹⁴cm^-2。

11.根据权利要求8所述的制造半导体器件的方法，其特征在于，还包括：

在所述第一导电类型半导体层的第二表面上形成漏极。