[发明专利]气相二氧化硅颗粒分离脱氢的系统和方法

权利要求书

1.一种分离气相二氧化硅颗粒的方法，其特征在于，包括：从气态流收集气相二氧化硅颗粒的初级进料，其中气相二氧化硅颗粒的初级进料以流态收集；收集氯气的二次进料，其中收集氯气的二次进料以执行流态化气相二氧化硅颗粒的分离；

对气相二氧化硅颗粒的初级进料和氯气的二次进料进行加热处理；从第一出口(108)释放脱水气相二氧化硅颗粒，从而分离气相二氧化硅颗粒。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，来自气流的气相二氧化硅颗粒的初级进料从第一入口(102)收集到双入口旋风分离器中。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，从第二入口(104)将氯气的二次进料收集到双入口旋风分离器中。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括，在对气相二氧化硅颗粒进行分离后，从第二出口(110)释放水分子和气体。

5.一种用于对气相二氧化硅颗粒进行分离和脱羟基的分离系统(100)，其特征在于，包括：

第一入口(102)，其中第一入口(102)用于将气流中的气相二氧化硅颗粒的初级进料收集到双入口旋风分离器中，其中气相二氧化硅颗粒的初级进料在流态中收集；第二入口(104)，其中第二入口(104)用于将氯气的二次进料收集到双入口旋风分离器中，其中收集氯气的二次进料以执行流态化气相二氧化硅颗粒的脱氢；一种双入口旋风筒的主体(106)，其中，双入口旋风筒的主体(106)用于处理气相二氧化硅颗粒的初级进料和氯气的二次进料以及双入口旋风筒内的热量；第一出口(108)，其中第一出口(108)用于释放脱水的气相二氧化硅颗粒；以及第二出口(110)，其中第二出口(110)用于在对气相二氧化硅颗粒进行分离和脱氢之后释放水分子和其他气体。

6.根据权利要求5所述的分离器系统(100)，其特征在于，涡流的形成对流态化气相二氧化硅颗粒施加离心力，气相二氧化硅颗粒的分离和脱氢发生以释放脱水气相二氧化硅颗粒和水分子。

7.根据权利要求5所述的分离器系统(100)，其特征在于，所述气相二氧化硅颗粒经历脱氢以去除物理吸附水分子和化学吸附水分子，其中所述化学吸附水分子在去除物理吸附水分子后被去除，其中所述物理吸附水分子在约200摄氏度的温度下重新去除，其中化学吸附水分子在200摄氏度后的残留量在百万分之三十到百万分之五十之间。

8.根据权利要求5所述的分离器系统(100)，其特征在于，所述分离系统(100)对所分离的SiOH基、双子SiOH基和邻SiOH基进行脱氢，其中所分离的SiOH基、双子SiOH基和邻SiOH的脱氢由速率定律dC/dt＝k[c]n决定，在约320摄氏度到1200摄氏度的温度范围内。。

9.根据权利要求5所述的分离器系统(100)，其特征在于，气相二氧化硅颗粒在一个时间段内经历分离和脱氢，其中气相二氧化硅颗粒的分离和脱氢的时间段取决于一个或多个因素。

10.一种分离气相二氧化硅颗粒的方法，其特征在于，包括：收集，从第一入口(102)将气相流中的气相二氧化硅颗粒的初级进料送入双入口旋风分离器，其中气相二氧化硅颗粒的初级进料以流态收集；收集，从第二入口(104)到双入口旋风分离器的氯气的二次进料，其中收集氯气的二次进料以执行流态化气相二氧化硅颗粒的分离；处理，在双入口旋风分离器的主体(106)内，气相二氧化硅颗粒的初级进料和氯气的二次进料以及热量；释放，从第一出口(108)释放脱水气相二氧化硅颗粒；以及释放，从第二出口(110)分离气相二氧化硅颗粒后释放水分子和其他气体。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，还包括在腔室(302)中对流态化气相二氧化硅颗粒进行脱氢，其中在双入口旋风分离器中对气相二氧化硅颗粒进行分离后进行脱氢，其中腔室(302)被一个或多个感应炉包围。