[发明专利]一种芯片晶圆数字化清洗的产品清洗工艺在审
申请号: | 202010013032.0 | 申请日: | 2020-01-07 |
公开(公告)号: | CN111048405A | 公开(公告)日: | 2020-04-21 |
发明(设计)人: | 庞亮;李谦 | 申请(专利权)人: | 厦门英惟达智能科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/66 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 361000 福建省厦门市*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 芯片 数字化 清洗 产品 工艺 | ||
1.一种芯片晶圆数字化清洗的产品清洗工艺,其特征在于,包括以下步骤:
S1.启动设备,系统自动抽真空,使芯片晶圆在数字化清洗的产品清洗工艺过程中均处于真空环境,系统按照芯片晶圆清洗要求进行药液自动配比;
S2.机械手自动抓取贴附晶圆的铁片至清洗工位,清洗工位开始转动,对晶圆喷化学配比药液的同时进行刷洗;
S3.停止化学配比药液的喷洒,接通二流体对晶圆进行冲洗;
S4.切断二流体供给,利用热氮气供给,对晶圆进行吹干烘烤;
S5.将S4中吹干烘烤后的晶圆移送至视觉检测工位进行视觉检测,确定是否为良品;
S6.若晶圆为良品,结束清洗工艺,通过物料传出机构传出物料,至此清洗工艺结束,以此循环,进行下一批物料的清洗工作。
2.根据权利要求1所述的一种芯片晶圆数字化清洗的产品清洗工艺,其特征在于,所述步骤S1中真空环境的真空度为-0.1Mpa。
3.根据权利要求1所述的一种芯片晶圆数字化清洗的产品清洗工艺,其特征在于,步骤S2中所述清洗工位转速为600-1200RPM,所述药液喷洒和自动刷晶圆时间均为38-42秒。
4.根据权利要求1所述的一种芯片晶圆数字化清洗的产品清洗工艺,其特征在于,步骤S3中所述二流体冲洗晶圆时间为40-45秒,所述清洗工位转速为1200-3000RPM。
5.根据权利要求1所述的一种芯片晶圆数字化清洗的产品清洗工艺,其特征在于,步骤S4中所述清洗工位转速为1800-3000RPM,所述吹干烘烤时间为30-40秒。
6.根据权利要求1或5所述的一种芯片晶圆数字化清洗的产品清洗工艺,其特征在于,所述热氮温度为75-98摄氏度。
7.根据权利要求1所述的一种芯片晶圆数字化清洗的产品清洗工艺,其特征在于,步骤S5中所述视觉检测采用CCD工业相机进行检测。
8.根据权利要求1所述的一种芯片晶圆数字化清洗的产品清洗工艺,其特征在于,所述机械手自动抓取贴附晶圆的铁片至清洗工位包括以下步骤:A1机械手自动抓取贴附晶圆的铁片至定位机构进行铁片定位;A2移送机械手自动抓取定位好的晶圆铁片至清洗工位。
9.根据权利要求8所述的一种芯片晶圆数字化清洗的产品清洗工艺,其特征在于,所述机械手自动抓取精度为±0.01mm;所述移送机械手自动抓取定位好的晶圆铁片至清洗工位的定位精度和定位装夹精度均为±0.01mm。
10.根据权利要求3所述的一种芯片晶圆数字化清洗的产品清洗工艺,其特征在于,所述清洗工位转速不小于1200 RPM时,所述清洗工位上的定位块对附晶圆的铁片进行二次夹紧定位。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造