[发明专利]一种硅片电池镀膜用石墨舟片、石墨舟及镀膜方法

说明书

本发明提供一种用于叠瓦、半片大尺寸硅片电池镀膜用石墨舟片，包括石墨舟片本体和分隔件，石墨舟片本体上设有多个硅片放置区，多个硅片放置区沿着石墨舟片本体的长度方向依次设置，分隔件设于硅片放置区处，硅片放置区周侧设有卡点。本发明的有益效果是适合半片硅片进行镀膜时使用，在不改变石墨舟整体的结构的情况下，改变硅片放置区的结构，降低改造成本，便于大尺寸硅片进行镀膜。

技术领域

本发明属于太阳能电池技术领域，尤其是涉及一种硅片电池镀膜用石墨舟片、石墨舟及镀膜方法，尤其是用于叠瓦、半片大尺寸硅片电池镀膜用石墨舟片、石墨舟及镀膜方法。

背景技术

随着太阳能光伏发电市场对高功率太阳能光伏组件的需求激增，叠瓦、半片太阳能光伏组件已成为高功率组件的主流产品。因大尺寸整片硅片(如M9 190x190mm,M10200x200mm,M12 210x210mm)已超出现有管式镀膜炉管管径极限范围，不能进行镀膜，对管式镀膜炉管进行改造，使得改造成本上升。

发明内容

鉴于上述问题，本发明要解决的问题是提供一种硅片电池镀膜用石墨舟片、石墨舟及镀膜方法，尤其适合半片硅片进行镀膜时使用，在不改变石墨舟整体的结构的情况下，改变硅片放置区的结构，降低改造成本，便于大尺寸硅片进行镀膜。

为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：一种用于叠瓦、半片大尺寸硅片电池镀膜用石墨舟片，包括石墨舟片本体和分隔件，石墨舟片本体上设有多个硅片放置区，多个硅片放置区沿着石墨舟片本体的长度方向依次设置，分隔件设于硅片放置区处，硅片放置区周侧设有卡点。

进一步的，硅片放置区为长方形通孔结构，硅片放置区的长度大于宽度。

进一步的，硅片放置区的长度与半片硅片的长度相适应，硅片放置区的宽度与半片硅片的宽度相适应。

进一步的，分隔件为十字型结构，设于硅片放置区上。

一种用于叠瓦、半片大尺寸硅片电池镀膜用石墨舟，包括多个上述的用于叠瓦、半片大尺寸硅片电池镀膜用石墨舟片、连接杆和隔挡件，多个石墨舟片均与连接杆连接，隔挡件设于连接杆上，且隔挡件设于相邻石墨舟片之间，多个石墨舟片平行设置。

进一步的，隔挡件为陶瓷套，陶瓷套的长度为10.48-10.52mm。

一种用于叠瓦、半片大尺寸硅片电池的镀膜方法，包括以下步骤，

S1：对硅片进行切割，将硅片一分为二，形成半片硅片；

S2：对半片硅片进行插片，装载在石墨舟上；

S3：对半片硅片进行镀膜，在半片硅片镀膜过程中，进行多次镀膜。

进一步的，半片硅片镀膜过程中，第一次镀膜时，按照第一镀膜温度和第一镀膜压力，通入硅烷和氨气，并设定第一镀膜时间，其中，

第一镀膜时间为120-180s，第一镀膜压力为1500-1900mTorr，硅烷的流量为850-1150sccm，氨气的流量为4-6slm，第一镀膜温度为400-500℃。

进一步的，半片硅片镀膜过程中，第二次镀膜时，按照第二镀膜温度和第二镀膜压力，通入硅烷和氨气，并设定第二镀膜时间，其中，

第二镀膜时间为180-240s，第二镀膜压力为1500-1900mTorr，硅烷的流量为470-770sccm，氨气的流量为4.8-8.8slm，第二镀膜温度为400-500℃。

进一步的，半片硅片镀膜过程中，第三次镀膜时，按照第三镀膜温度和第三镀膜压力，通入硅烷和氨气，并设定第三镀膜时间，其中，

第三镀膜时间为270-370s，第二镀膜压力为1500-1900mTorr，硅烷的流量为310-610sccm，氨气的流量为2.4-6.4slm，第三镀膜温度为400-500℃。