[发明专利]一种硅片电池镀膜用石墨舟片、石墨舟及镀膜方法

权利要求书

1.一种用于叠瓦、半片大尺寸硅片电池镀膜用石墨舟片，其特征在于：包括石墨舟片本体和分隔件，所述石墨舟片本体上设有多个硅片放置区，所述多个硅片放置区沿着所述石墨舟片本体的长度方向依次设置，所述分隔件设于所述硅片放置区处，所述硅片放置区周侧设有卡点。

2.根据权利要求1所述的用于叠瓦、半片大尺寸硅片电池镀膜用石墨舟片，其特征在于：所述硅片放置区为长方形通孔结构，所述硅片放置区的长度大于宽度。

3.根据权利要求2所述的用于叠瓦、半片大尺寸硅片电池镀膜用石墨舟片，其特征在于：所述硅片放置区的长度与半片硅片的长度相适应，所述硅片放置区的宽度与半片硅片的宽度相适应。

4.根据权利要求1-3任一项所述的用于叠瓦、半片大尺寸硅片电池镀膜用石墨舟片，其特征在于：所述分隔件为十字型结构，设于所述硅片放置区上。

5.一种用于叠瓦、半片大尺寸硅片电池镀膜用石墨舟，其特征在于：包括多个根据权利要求1-4任一项所述的用于叠瓦、半片大尺寸硅片电池镀膜用石墨舟片、连接杆和隔挡件，所述多个石墨舟片均与所述连接杆连接，所述隔挡件设于所述连接杆上，且所述隔挡件设于相邻所述石墨舟片之间，所述多个石墨舟片平行设置。

6.根据权利要求5所述的用于叠瓦、半片大尺寸硅片电池镀膜用石墨舟，其特征在于：所述隔挡件为陶瓷套，所述陶瓷套的长度为10.48-10.52mm。

7.一种用于叠瓦、半片大尺寸硅片电池的镀膜方法，其特征在于：包括以下步骤，

S1：对硅片进行切割，将所述硅片一分为二，形成半片硅片；

S2：对所述半片硅片进行插片，装载在所述石墨舟上；

S3：对所述半片硅片进行镀膜，在所述半片硅片镀膜过程中，进行多次镀膜。

8.根据权利要求7所述的用于叠瓦、半片大尺寸硅片电池的镀膜方法，其特征在于：所述半片硅片镀膜过程中，第一次镀膜时，按照第一镀膜温度和第一镀膜压力，通入硅烷和氨气，并设定第一镀膜时间，其中，

所述第一镀膜时间为120-180s，所述第一镀膜压力为1500-1900mTorr，所述硅烷的流量为850-1150sccm，所述氨气的流量为4-6slm，所述第一镀膜温度为400-500℃。

9.根据权利要求8所述的用于叠瓦、半片大尺寸硅片电池的镀膜方法，其特征在于：所述半片硅片镀膜过程中，第二次镀膜时，按照第二镀膜温度和第二镀膜压力，通入硅烷和氨气，并设定第二镀膜时间，其中，

所述第二镀膜时间为180-240s，所述第二镀膜压力为1500-1900mTorr，所述硅烷的流量为470-770sccm，所述氨气的流量为4.8-8.8slm，所述第二镀膜温度为400-500℃。

10.根据权利要求9所述的用于叠瓦、半片大尺寸硅片电池的镀膜方法，其特征在于：所述半片硅片镀膜过程中，第三次镀膜时，按照第三镀膜温度和第三镀膜压力，通入硅烷和氨气，并设定第三镀膜时间，其中，

所述第三镀膜时间为270-370s，所述第二镀膜压力为1500-1900mTorr，所述硅烷的流量为310-610sccm，所述氨气的流量为2.4-6.4slm，所述第三镀膜温度为400-500℃。