[其他]沉积设备

说明书

描述了一种沉积设备。所述沉积设备包括：真空腔室(101)；沉积源(120)，所述沉积源包括在所述真空腔室内的至少一个溅射源(121)以用于涂覆在所述沉积源的第一侧上的基板；以及屏蔽布置(130)，所述屏蔽布置布置在所述沉积源的第二侧上。所述屏蔽布置包括多个屏蔽单元，所述多个屏蔽单元部分地重叠并且在所述多个屏蔽单元间限定气流路径(132)。所述屏蔽布置可包括交替地布置的前屏蔽单元(135)和后屏蔽单元(136)。

技术领域

本公开内容的实施方式涉及层沉积，特别地涉及通过溅射的层沉积。具体地，实施方式涉及用于通过溅射沉积层的沉积设备。本公开内容的实施方式特别地涉及沉积设备、操作沉积设备的方法以及在基板上沉积层堆叠的方法。

背景技术

已知用于在基板上沉积材料的若干方法。例如，可通过物理气相沉积(PVD) 工艺(诸如溅射)、化学气相沉积(CVD)工艺、等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)工艺来涂覆基板。典型地，在要涂覆的基板所位于的包括真空腔室的沉积设备中执行工艺。沉积材料提供在设备中。沉积材料可例如从溅射靶朝向要涂覆的基板溅射。可使用多种材料以用于在基板上的沉积。在这些材料中，可使用许多不同金属，但也可使用氧化物、氮化物或碳化物。典型地，溅射工艺适于薄膜涂覆。

涂覆基板可用于若干应用和若干技术领域中。例如，一种应用落在微电子领域中，诸如产生半导体装置。另外，用于显示器的基板通常通过PVD工艺进行涂覆，其中处理大面积基板。

为了处理大面积基板，例如在显示器工业中，可使用动态沉积工艺，其中基板在沉积期间移动经过一个或多个沉积源。然而，许多基板处理应用利用静态沉积工艺。在静态沉积工艺中，基板定位在沉积源的前侧上的真空处理区域中。沉积源可包括至少一个溅射源或彼此间隔开的溅射源的阵列。

将溅射的沉积材料的大部分提供在基板上和减少在真空腔室内的其他部件上的杂散沉积有挑战性。特别地，尽可能少的沉积材料应最终在真空腔室的内壁上，使得可减少因杂散涂覆而导致的在真空腔室内部的清洁工作并且可节省材料成本。

一些沉积设备可设置有在真空腔室内的屏蔽板，所述屏蔽板可布置在沉积源与真空腔室的内壁之间。屏蔽板的清洁可比真空腔室的清洁更容易和更快，例如，这是因为可快速地移除或更换屏蔽板。因此，可减少沉积设备的停机时间。然而，屏蔽布置可能负面地影响涂覆工艺。

有鉴于此，提供改善的沉积设备以及改善的操作沉积设备的方法将是有益的，所述沉积设备和所述方法使得能够在减少在真空腔室的内壁上的杂散涂覆的同时实现良好的沉积结果。

实用新型内容

鉴于上述，提供了沉积设备以及操作沉积设备的方法。本公开内容的另外的方面、细节、益处和特征从从属权利要求、说明书和附图中清楚。

根据一个实施方式或方面，提供了一种沉积设备。所述沉积设备包括：真空腔室；沉积源，所述沉积源包括在所述真空腔室内的至少一个溅射源以用于涂覆在所述沉积源的第一侧上的基板；以及屏蔽布置，所述屏蔽布置布置在所述沉积源的第二侧上。所述屏蔽布置包括部分地重叠的多个屏蔽单元，所述多个屏蔽单元在所述多个屏蔽单元间限定气流路径。

在一些实施方式中，基板运输轨道布置在所述沉积源的所述第一侧上，并且所述屏蔽布置布置在所述沉积源的与所述第一侧相对的第二侧上，特别是布置在所述沉积源与至少一个泵端口之间。

在进一步实施方式中，所述屏蔽布置包括七个或更多个屏蔽单元，从而在所述屏蔽单元间限定六个或更多个气流路径。

在进一步实施方式中，所述屏蔽布置包括十五个或更多个屏蔽单元，从而在所述屏蔽单元间限定十四个或更多个气流路径。

在进一步实施方式中，所述屏蔽单元为屏蔽板，特别是弯曲的屏蔽板，更特别是C形或U形屏蔽板。