[其他]用于处理基板的系统

说明书

一般来说，本说明书所述的实例关于用于处理基板的系统，且更具体地关于用于从基板的边缘去除边缘珠粒或其他污染源。一个实例是处理系统，该处理系统包括腔室、腔室内的基板处置器以及腔室内的辐射产生器。基板处置器经配置固定基板。基板处置器可操作以将基板的边缘表面定位，使得来自辐射产生器传播的辐射被引导到基板的边缘表面，且基板处置器可操作以将基板的沉积表面的周边区域定位，使得来自辐射产生器传播的辐射被引导到周边区域，该周边区域垂直于边缘表面且沿着边缘表面。

技术领域

本说明书所述的实例大体关于用于处理基板的系统，且更特定言之关于去除基板的边缘处的边缘珠粒或层的其他部分。

背景技术

可靠地生产半导体元件取决于横跨不同基板(如晶圆)和横跨每个个别基板的处理的均匀性。已知一些处理在基板上产生不均匀性。更具体地，一些沉积处理可能在基板的边缘处引起沉积层的积聚，这通常被称为边缘珠粒(edge bead)。这种不均匀性可能会对后续处理有不利影响，这接着可能会对可靠地生产半导体元件的能力有不利影响。

实用新型内容

一个实例是处理系统。处理系统包括腔室、基板处置器和辐射产生器。基板处置器位于腔室内。基板处置器经配置固定基板。辐射产生器在腔室内。基板处置器可进一步操作以将基板的边缘表面定位，使得来自辐射产生器传播的辐射被引导到基板的边缘表面，且基板处置器可操作以将基板的沉积表面的周边区域定位，使得来自辐射产生器传播的辐射被引导到沉积表面的周边区域，周边区域垂直于边缘表面且沿着边缘表面。

处理系统可进一步包括抽取器壳体。抽取器壳体可包含：界定内部空间和开口的侧壁，所述内部空间流体地耦接到出口；及透明窗，所述透明窗设置在与开口相对的侧壁上，所述辐射产生器经定位引导辐射通过所述透明窗、所述内部空间和所述开口。

所述基板处置器可包括第一可移动台和第二可移动台，所述第一可移动台可沿第一方向横向移动，所述第二可移动台可沿垂直于所述第一方向的第二方向横向移动。

所述基板处置器可包含：可旋转台；第一可旋转接头，所述第一可旋转接头由所述可旋转台支撑；第一连杆，所述第一连杆附接于所述第一可旋转接头；第二可旋转接头，所述第二可旋转接头附接于所述第一连杆；第二连杆，所述第二连杆附接于所述第二可旋转接头；腕部，所述腕部附接于所述第二连杆；及夹具，所述夹具附接于所述腕部，所述夹具经配置在所述基板的相对边缘表面处使用相反的力来固定所述基板。

所述基板处置器可操作以在不同时间定位所述基板的每个边缘表面，使得来自所述辐射产生器传播的辐射被引导到所述基板的相应边缘表面，且可操作以在不同时间将所述周边区域定位，使得来自所述辐射产生器传播的辐射被引导到所述沉积表面的所述周边区域，所述周边区域垂直于每个边缘表面且沿着每个边缘表面。

所述辐射产生器可以是紫外线(UV)激光产生器。

所述辐射产生器可以是电子束(e-beam)产生器。

又一个实例是处理系统。所述处理系统可包括：腔室；基板处置器，所述基板处置器在所述腔室内，所述基板处置器包括可移动台和耦接到所述可移动台的可移动的基板固持器；抽取器壳体，所述抽取器壳体在所述腔室内；及辐射产生器，所述辐射产生器在所述腔室内，所述辐射产生器与所述抽取器壳体的开口对齐。

所述基板固持器能够平移和旋转。

所述辐射产生器可包括紫外线(UV)激光和电子束(e-beam)。

所述辐射产生器可以是固定的。

所述辐射产生器可相对于所述抽取器壳体移动。

所述处理系统可进一步包括基板台，所述基板台在所述腔室内设置于所述基板处置器附近。