[其他]高频模块和通信装置

权利要求书

1.一种高频模块，其特征在于，具备：

第一发送功率放大器，其具有进行多级连接的多个放大元件；以及

模块基板，其具有彼此相向的第一主面和第二主面，安装所述第一发送功率放大器，

其中，所述多个放大元件包括：

第一放大元件，其配置于所述多个放大元件的最后级；以及

第二放大元件，其配置于比所述第一放大元件靠前级的位置，

所述第一放大元件安装于所述第一主面，

所述第二放大元件安装于所述第二主面。

2.根据权利要求1所述的高频模块，其特征在于，

所述第二放大元件由包含Si的CMOS即互补金属氧化物半导体构成。

3.根据权利要求1或2所述的高频模块，其特征在于，

所述第一放大元件与所述第二放大元件通过沿垂直方向贯通所述模块基板的通路导体连接。

4.根据权利要求1或2所述的高频模块，其特征在于，

所述高频模块还具备：

树脂构件，其形成在所述第二主面上，覆盖所述第二放大元件的至少一部分；以及

柱状电极，其与所述第二主面连接，沿所述第二主面的垂直方向贯通所述树脂构件。

5.根据权利要求1或2所述的高频模块，其特征在于，

所述第一放大元件与所述第二放大元件由不同的材料构成。

6.根据权利要求1或2所述的高频模块，其特征在于，

所述第一放大元件由GaAs构成。

7.根据权利要求1或2所述的高频模块，其特征在于，

在俯视所述模块基板的情况下，所述第一放大元件与所述第二放大元件至少有一部分重叠。

8.根据权利要求1或2所述的高频模块，其特征在于，

所述高频模块还具备：

公共端子；以及

第一发送输入端子和第一接收输出端子，

其中，所述第一发送功率放大器放大从所述第一发送输入端子输入的高频信号，将放大后的该高频信号输出到所述公共端子，

所述高频模块还具备第一接收低噪声放大器，所述第一接收低噪声放大器安装于所述模块基板，放大从所述公共端子输入的高频信号，将放大后的该高频信号输出到所述第一接收输出端子。

9.根据权利要求8所述的高频模块，其特征在于，

所述第一接收低噪声放大器安装于所述第二主面。

10.根据权利要求8所述的高频模块，其特征在于，

在俯视所述模块基板的情况下，在所述第一放大元件与所述第一接收低噪声放大器之间配置有安装于所述第一主面或第二主面的导电构件。

11.根据权利要求10所述的高频模块，其特征在于，

所述导电构件是以下中的任一个：

(1)所述第二放大元件；

(2)第一开关，其对所述公共端子与所述第一发送功率放大器的导通和非导通进行切换；

(3)第二开关，其对所述公共端子与所述第一接收低噪声放大器的导通和非导通进行切换；

(4)发送滤波器，其配置于将所述公共端子与所述第一发送功率放大器连结的发送路径；

(5)接收滤波器，其配置于将所述公共端子与所述第一接收低噪声放大器连结的接收路径；

(6)多工器，其配置于所述公共端子与所述发送滤波器及所述接收滤波器之间；

(7)金属芯片；

(8)芯片电容器；

(9)控制电路，其生成用于对所述第一发送功率放大器及所述第一接收低噪声放大器的增益进行调整的控制信号以及用于对所述第一开关及所述第二开关的切换进行控制的控制信号中的至少1个控制信号。

12.根据权利要求10或11所述的高频模块，其特征在于，

所述导电构件包括与形成于所述模块基板的地图案连接的电极。