[发明专利]封装体在审
申请号: | 201980097998.2 | 申请日: | 2019-10-11 |
公开(公告)号: | CN114072912A | 公开(公告)日: | 2022-02-18 |
发明(设计)人: | 间濑淳;伊藤阳彦 | 申请(专利权)人: | 日本碍子株式会社;NGK电子器件株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人: | 王强;张黎 |
地址: | 日本国爱知*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 | ||
封装体(800)具有:安设面(SM),其供安装电子部件(902);腔室(CV),其位于安设面(SM)上;及安装面(SF),其供安装用于密封腔室(CV)的盖体(907)。封装体(800)包括:基部(810),由陶瓷构成且具有腔室(CV);及布线部(820),从基部(810)的腔室(CV)延伸并贯通基部(810)。基部(810)包括底部(811)和框部(812)。底部(811)具有安设面(SM),该安设面(SM)具有将具有10mm以上的长边的长方形包含在内的大小。框部(812)在底部(811)上以包围腔室(CV)的方式设置于安设面(SM)的外侧,并具有陶瓷的烧成面作为安装面(SF)。
技术领域
本发明涉及封装体,尤其涉及电子部件用的封装体。
背景技术
日本特开2006-344838号公报(专利文献1)公开了一种固态摄像装置。固态摄像装置具有搭载于凹状的陶瓷封装体内的摄像元件。作为封装体的尺寸,例示了10mm见方的尺寸。摄像元件例如是电荷耦合元件(CCD)型或互补型金属氧化物半导体(CMOS)型。由于封装体的尺寸为10mm见方,因此搭载于其内部的摄像元件即使长边也比10mm小很多。封装体的开口部由透光性窗构件密封。封装体的窗构件搭载面为了提高窗构件的密合性及由此带来的气密性,并且为了成为搭载摄像元件时的基准面而被研磨并平坦化。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2006-344838号公报
发明内容
发明所要解决的课题
作为安装于封装体的电子部件,也存在将具有10mm以上的长边的长方形包含在内的大小的电子部件。例如,高性能的大型照相机用的固态摄像元件与小型照相机用的固态摄像元件相比,需要构成大的摄像部,具体而言,大多构成为10~50mm见方左右的半导体芯片。与此对应,安装固态摄像元件的封装体需要大的安设面。其结果是,由陶瓷封装体的烧成收缩差等引起的翘曲的影响与尺寸相比变大,因此框部(密封面)、背面部(向基板的安设面)、腔室底部(摄像元件搭载面)的各平面度及相互的平行度容易紊乱。特别是当安装面的平坦度低时,封装体的安装面与盖体之间的气密性变低。而且,在电子部件为固态摄像元件的情况下,由于必须考虑光轴,所以也担心固态摄像元件与盖体的平行度。因此,以往通过研磨使安装面的平坦度提高到例如30~50μm左右。
但是,根据本发明的发明人们等的研究,容易从经研磨的安装面产生向封装体的腔室内的起尘。该起尘有时会对电子部件的动作产生不良影响。特别是在电子部件为固态摄像元件的情况下,起尘有时会引起像素缺陷,在大多要求高性能的大型固态摄像元件的情况下,该问题特别严重。本发明是为了解决这样的课题而完成的,其目的在于提供一种能够防止由起尘引起的电子部件的动作不良的封装体。
用于解决课题的手段
本发明的一个实施方式中的封装体具有:安设面,其供安装电子部件;腔室,其位于安设面上;及安装面,其供安装用于密封腔室的盖体。封装体包括:基部,由陶瓷构成且具有腔室;及布线部,从基部的腔室延伸并贯通基部。基部包括底部和框部。底部具有安设面,该安设面具有将具有10mm以上的长边的长方形包含在内的大小。框部在底部上以包围腔室的方式设置于安设面的外侧,并具有陶瓷的烧成面(as-fired surface)作为安装面。
发明效果
根据本发明的一个实施方式的封装体,供安装盖体的安装面是陶瓷的烧成面。由此,与安装面为研磨面的情况相比,抑制了从安装面的起尘。因此,能够防止由腔室内的异物引起的电子部件的动作不良。
通过以下的详细说明和附图,本发明的目的、特征、方面和优点将变得更为明确。
附图说明
图1是概略地表示本发明的一个实施方式中的电子装置的结构的剖视图。
图2是概略地表示图1的封装体的结构的剖视图。
图3是比较例的封装体所具有的安装面的电子显微镜照片。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的