[发明专利]封装体在审
| 申请号： | 201980097998.2 | 申请日： | 2019-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN114072912A | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 间濑淳;伊藤阳彦 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社;NGK电子器件株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人： | 王强;张黎 |
| 地址： | 日本国爱知*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 封装 | ||
1.一种封装体，具有：安设面，其供安装电子部件；腔室，其位于所述安设面上；及安装面，其供安装用于密封所述腔室的盖体，其中，
所述封装体具备：
基部，由陶瓷构成且具有所述腔室；及
布线部，从所述基部的所述腔室延伸并贯通所述基部，
所述基部包括：底部，具有所述安设面，该安设面具有将具有10mm以上的长边的长方形包含在内的大小；及框部，在所述底部上以包围所述腔室的方式设置于所述安设面的外侧，并具有所述陶瓷的烧成面作为所述安装面。
2.根据权利要求1所述的封装体，其中，
所述基部具有从所述安装面的外缘延伸的侧面，所述侧面包括断裂面，
所述陶瓷在所述安装面上具有1μm以上且3μm以下的平均粒径，在所述断裂面上具有3％以下的气孔率。
3.根据权利要求1或2所述的封装体，其中，
所述电子部件是具有将具有10mm以上的长边的长方形包含在内的大小的固态摄像元件。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的封装体，其中，
所述陶瓷含有Al2O3、SiO2和MnO作为必需成分，含有钼原子和Cr2O3中的至少一种作为任意成分，
Al2O3的含量为82.0质量％以上且95.0质量％以下，
SiO2的含量为3.0质量％以上且8.0质量％以下，
MnO的含量为2.0质量％以上且6.0质量％以下，
以MoO3换算的钼原子的含量与Cr2O3的含量的合计为4.0质量％以下，
余量的含量小于0.1质量％。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的封装体，其中，
所述陶瓷含有Al2O3、SiO2和MnO作为必需成分，含有钼原子和Cr2O3中的至少一种作为任意成分，
Al2O3的含量为82.0质量％以上且95.0质量％以下，
SiO2的含量为3.0质量％以上且8.0质量％以下，
MnO的含量为2.0质量％以上且6.0质量％以下，
以MoO3换算的钼原子的含量与Cr2O3的含量的合计为4.0质量％以下，
余量的含量小于0.05质量％。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日本碍子株式会社;NGK电子器件株式会社，未经日本碍子株式会社;NGK电子器件株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
