[发明专利]基板处理装置、处理容器、反射体和半导体装置的制造方法

说明书

本发明提供一种技术，具有：构成处理室的处理容器；处理气体供给部，其向处理容器内供给处理气体；电磁场产生电极，其与处理容器的外周面分离开并沿着该外周面配置，构成为通过供给高频电力而使处理容器内产生电磁场；加热机构，其构成为发射红外线来对处理室内容纳的基板进行加热；以及反射体，其配置在所述处理容器和所述电磁场产生电极之间，构成为对从加热机构发射的红外线进行反射。根据本技术，能够提高基板处理装置的加热器对基板的加热效率。

技术领域

本公开涉及基板处理装置、处理容器、反射体和半导体装置的制造方法。

背景技术

在形成闪存等半导体装置的图案时，作为制造工序的一个工序，有时要实施对基板进行氧化处理、氮化处理等预定处理的工序。

例如，专利文献1中公开了使用等离子体激发后的处理气体对在基板上形成的图案表面进行改性处理。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2014-75579号公报

发明内容

发明要解决的课题

如果进行上述那样的处理的处理容器由红外线透射率高的部件构成，那么有时从加热基板的加热器等发射的红外光会透过而泄露到处理容器的外部。另外，如果处理容器由红外线吸收率高的部件构成，则有时从加热器、基板等发射的大部分红外光会被处理容器吸收。这些情形下，有时难以由加热器效率良好地加热基板。

本公开的目的在于提供一种能提高基板处理装置的加热器对基板的加热效率的技术。

解决课题的方法

根据本公开的一个方式，提供一种技术，其具有：构成处理室的处理容器；处理气体供给部，其向上述处理容器内供给处理气体；电磁场产生电极，其与上述处理容器的外周面分离开并沿着该外周面配置，构成为通过供给高频电力而使上述处理容器内产生电磁场；加热机构，其构成为发射红外线来加热上述处理室内容纳的基板；和反射体，其配置在上述处理容器和上述电磁场产生电极之间，构成为对从上述加热机构发射的红外线进行反射。

发明效果

根据本公开的技术，能够提高加热器对处理容器内基板的加热效率，缩短基板处理时间来提高生产率，能够实现通过高温化来形成高品质的膜。

附图说明

图1是本公开的第一实施方式涉及的基板处理装置的概略截面图。

图2是对本公开的第一实施方式涉及的基板处理装置的等离子体生成原理进行说明的说明图。

图3是显示本公开的第一实施方式涉及的基板处理装置的控制部(控制单元)的构成的图。

图4是显示本公开的第一实施方式涉及的基板处理工序的方框图。

图5是本公开的第二实施方式涉及的基板处理装置的概略截面图。

图6是本公开的第三实施方式涉及的基板处理装置的概略截面图。

图7是本公开的第四实施方式涉及的基板处理装置的概略截面图。

具体实施方式

＜第一实施方式＞

(1)基板处理装置的构成

以下使用图1和图2对本公开的第一实施方式涉及的基板处理装置进行说明。本实施方式涉及的基板处理装置构成为主要对在基板面上形成的膜进行氧化处理。

(处理室)