[发明专利]膜形成用组合物

说明书

本发明的课题是提供适合作为能够形成不仅具有良好的EUV抗蚀剂密合性，而且由于氟系蚀刻速率也高因此也具有良好的蚀刻加工性的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物的膜形成用组合物。解决手段是一种膜形成用组合物，其包含例如式(E1)所示的聚合物、和溶剂。

技术领域

涉及膜形成用组合物。

背景技术

一直以来在半导体装置的制造中，通过使用了光致抗蚀剂的光刻进行微细加工。上述微细加工是在硅晶片等半导体基板上形成光致抗蚀剂的薄膜，在其上经由描绘有半导体器件的图案的掩模图案而照射紫外线等活性光线，进行显影，以所得的光致抗蚀剂图案作为保护膜对基板进行蚀刻处理，从而在基板表面形成与上述图案对应的微细凹凸的加工法。

近年来，在最尖端半导体器件中，抗蚀剂的薄膜化显著。特别是，在由抗蚀剂层、含有硅的抗蚀剂下层膜、有机下层膜构成的3层工艺中，不仅需要含有硅的抗蚀剂下层膜上的抗蚀剂的光刻特性，而且需要高蚀刻速度。特别是，对于EUV(ExtremeUltraviolet：极紫外线)光刻，为了提高光刻特性，与抗蚀剂密合性高的官能团的大量导入、使分辨率提高的光产酸剂的大量添加是必不可少的，但另一方面，与此相伴的有机成分的增大引起的蚀刻速度的降低成为大问题。

在这样的情况下，报导了包含具有基的硅烷化合物的抗蚀剂下层膜形成用组合物、包含具有阴离子基的硅烷化合物的抗蚀剂下层膜(专利文献1、2)。

然而，近年来，关于最尖端半导体器件，抗蚀剂的微细化显著。其中，在上述3层工艺中，对抗蚀剂下层膜的Si-HM不仅要求优异的光刻特性，而且要求高蚀刻速率化，特别是在EUV时代，为了提高光刻特性(特别是防止图案倒塌)，需要与抗蚀剂密合性高的官能团的大量导入。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开WO2010-021290

专利文献2：国际公开WO2010-071155

发明内容

发明所要解决的课题

本发明是鉴于上述情况而提出的，其目的是提供适合作为可以形成不仅具有良好的EUV抗蚀剂密合性，而且由于氟系蚀刻速率也高因此也具有良好的蚀刻加工性的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物的膜形成用组合物。

用于解决课题的手段

本发明人为了达到上述目的而反复进行了深入研究，结果发现，包含选自具有包含在其氮原子上具有羟基烷基或烷氧基烷基的酰胺基或氨基的规定的有机基的水解性硅烷、其水解物及其水解缩合物中的至少1种、和溶剂的组合物可以获得适于具有良好的EUV抗蚀剂密合性，进一步由于氟系蚀刻速率高因此也具有良好的蚀刻加工性的抗蚀剂下层膜的薄膜，从而完成了本发明。

即，本发明提供：

1.一种膜形成用组合物，其特征在于，其包含选自水解性硅烷、其水解物及其水解缩合物中的至少1种、和溶剂，

上述水解性硅烷包含式(1)所示的含有交联性基的硅烷，

R1R²aSi(R³)₃-a(1)

(在式(1)中，R¹为与硅原子结合的基团，彼此独立地表示包含在其氮原子上具有羟基烷基或烷氧基烷基的酰胺基或氨基的有机基，

R²为与硅原子结合的基团，彼此独立地表示可以被取代的烷基、可以被取代的芳基、可以被取代的芳烷基、可以被取代的卤代烷基、可以被取代的卤代芳基、可以被取代的卤代芳烷基、可以被取代的烷氧基烷基、可以被取代的烷氧基芳基、可以被取代的烷氧基芳烷基、或可以被取代的烯基，或者表示包含环氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基、氨基或氰基的有机基，