[发明专利]膜形成用组合物

权利要求书

1.一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其特征在于，包含选自水解性硅烷、其水解物及其水解缩合物中的至少1种、和溶剂，

所述水解性硅烷包含式(1)所示的含有交联性基的硅烷，

R¹R²_aSi(R³)_3-a (1)

在式(1)中，R¹为与硅原子结合的基团，彼此独立地表示包含在其氮原子上具有羟基烷基或烷氧基烷基的酰胺基或氨基的有机基，

R²为与硅原子结合的基团，彼此独立地表示可以被取代的烷基、可以被取代的芳基、可以被取代的芳烷基、可以被取代的卤代烷基、可以被取代的卤代芳基、可以被取代的卤代芳烷基、可以被取代的烷氧基烷基、可以被取代的烷氧基芳基、可以被取代的烷氧基芳烷基、或可以被取代的烯基，或者表示包含环氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基、氨基或氰基的有机基，

R³为与硅原子结合的基团或原子，彼此独立地表示烷氧基、芳烷基氧基、酰氧基或卤原子，

a为整数0～2，

所述溶剂包含30质量％以下的水。

2.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述R¹为与硅原子结合的基团，彼此独立地表示包含在其氮原子上具有烷氧基烷基的酰胺基或氨基的有机基。

3.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述包含在其氮原子上具有羟基烷基或烷氧基烷基的酰胺基或氨基的有机基为下述式(A1)～式(A10)中的任一者所示的基团，

在式(A1)～式(A10)中，

R¹⁰¹～R¹¹⁵彼此独立地表示羟基烷基或烷氧基烷基，

L彼此独立地表示亚烷基，

R^AC彼此独立地表示烷基羰基，

r^a～r^f彼此独立地为整数0～4。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含所述水解性硅烷的水解缩合物。

5.根据权利要求1～3中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述水解性硅烷包含所述式(1)所示的含有交联性基的硅烷、和选自下述式(2)所示的其它硅烷和下述式(3)所示的其它硅烷中的至少1种，

R¹¹_bSi(R¹²)_4-b (2)

[R²¹_cSi(R²²)_3-c]₂Y (3)

在式(2)中，R¹¹为与硅原子结合的基团，彼此独立地表示可以被取代的烷基、可以被取代的芳基、可以被取代的芳烷基、可以被取代的卤代烷基、可以被取代的卤代芳基、可以被取代的卤代芳烷基、可以被取代的烷氧基烷基、可以被取代的烷氧基芳基、可以被取代的烷氧基芳烷基、或可以被取代的烯基，或者表示包含环氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基、氨基或氰基的有机基，

R¹²为与硅原子结合的基团或原子，彼此独立地表示烷氧基、芳烷基氧基、酰氧基、或卤原子，

b表示整数0～3，

在式(3)中，R²¹为与硅原子结合的基团，彼此独立地表示可以被取代的烷基、可以被取代的芳基、可以被取代的芳烷基、可以被取代的卤代烷基、可以被取代的卤代芳基、可以被取代的卤代芳烷基、可以被取代的烷氧基烷基、可以被取代的烷氧基芳基、可以被取代的烷氧基芳烷基、或可以被取代的烯基，或者表示包含环氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基、氨基或氰基的有机基，

R²²为与硅原子结合的基团或原子，彼此独立地表示烷氧基、芳烷基氧基、酰氧基、或卤原子，

Y为与硅原子结合的基团，彼此独立地表示亚烷基或亚芳基，

c彼此独立地表示整数0～2。