[发明专利]氧化膜形成装置

权利要求书

1.一种用于在工件上形成氧化膜的氧化膜形成装置，包括：

处理炉，工件布置在所述处理炉中；以及

喷头，所述喷头布置成面对所述工件的处理目标表面；

其中，所述喷头包括；

第一狭缝，用于向所述工件供给臭氧气体；以及

第二狭缝，用于向所述工件供给不饱和烃气体、包含Si元素或金属元素的原料气体或者所述不饱和烃气体和所述原料气体的混合气体，所述Si元素或金属元素是氧化膜的组成元素；

其中，所述第一狭缝和所述第二狭缝沿狭缝的短边方向交替地并排布置；

其中，所述喷头的气体供给表面在距所述工件的处理目标表面5mm至30mm的距离处对着所述工件的处理目标表面；

其中，所述第一狭缝的狭缝宽度和所述第二狭缝的狭缝宽度大于或等于0.5mm且小于或等于2mm并且彼此不同；

其中，相邻的所述第一狭缝的狭缝中心之间的间隔和相邻的所述第二狭缝的狭缝中心之间的间隔大于或等于2.5mm且小于或等于25mm；

其中，所述喷头的所述第一狭缝和所述第二狭缝中的最外侧狭缝为第一狭缝；

其中，原料气体的流量为0.1-500sccm，不饱和烃气体的流量为0.1-500sccm，臭氧气体的流量为0.2-1000sccm并且等于或大于不饱和烃气体的流量的两倍；以及

其中，氧化膜的形成温度为200℃或更低。

2.根据权利要求1所述的氧化膜形成装置，其中：

所述处理炉包括：

第一气体供给口，用于通过所述第一气体供给口来供给所述臭氧气体；以及

第二气体供给口，用于通过所述第二气体供给口来供给所述不饱和烃气体、所述原料气体或所述混合气体；并且

其中，所述氧化膜形成装置包括：

第一气体缓冲空间，所述第一气体缓冲空间形成在所述第一气体供给口和所述喷头之间，以便允许所述臭氧气体扩散；以及

第二气体缓冲空间，所述第二气体缓冲空间形成在所述第二气体供给口和所述喷头之间，以便允许所述不饱和烃气体、所述原料气体或所述混合气体扩散。

3.根据权利要求1或2所述的氧化膜形成装置，其中：

所述喷头呈板的形式，并可拆卸地布置在所述处理炉中。