[发明专利]包含有机半导体材料的薄膜晶体管

权利要求书

1.一种薄膜晶体管(1a、1b、1c、1d)，其包括：

电介质层(8、8’、8”、8”’)，所述电介质层具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧；

源电极(2、2’、2”、2”’)、与所述源电极分开的漏电极(4、4’、4”、4”’)和设置在所述源电极和所述漏电极之间并与所述源电极和所述漏电极接触的半导体部件(6、6’、6”、6”’)，所述源电极、所述漏电极和所述半导体部件设置为邻近所述电介质层的所述第一侧；以及

栅电极(10、10’、10”、10”’)，所述栅电极设置为邻近所述电介质层的与所述半导体部件相对的所述第二侧；

其中所述半导体部件包含选自由以下项组成的组的一种或多种化合物：

其中所述薄膜晶体管具有不超过20μm的沟道长度，所述沟道长度被测量为从所述源电极到所述漏电极的最短路径。

2.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述一种或多种化合物选自以下项：

3.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述一种或多种化合物选自以下项：

4.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述一种或多种化合物选自以下项：

5.根据权利要求1至4中任一项所述的晶体管，其中所述半导体部件由至少75重量％的所述一种或多种化合物形成。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的晶体管，其中所述沟道长度在3-20μm的范围内。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的晶体管，其中所述沟道长度不超过10μm。

8.根据权利要求1至4中任一项所述的晶体管，其中所述半导体部件具有在10nm至100nm范围内的厚度。

9.根据权利要求1至4中任一项所述的晶体管，其中所述沟道具有垂直于所述半导体部件厚度和所述沟道长度的宽度，所述宽度在0.01mm至4mm的范围内。

10.根据权利要求1至4中任一项所述的晶体管，其中所述源电极、所述漏电极和所述栅电极中的每一者独立地包括金层、银层、铜层或钼层。

11.根据权利要求1至4中任一项所述的晶体管，其中所述源电极、所述漏电极和所述栅电极中的一者或多者独立地包括银层。

12.根据权利要求1至4中任一项所述的晶体管，其进一步包括基底，所述基底支撑所述半导体部件、所述电介质层、所述源电极、所述漏电极和所述栅电极。

13.根据权利要求1至4中任一项所述的晶体管，其中所述源电极、所述漏电极和所述栅电极中的每一者独立地具有在所述半导体部件厚度的方向上的在30nm至500nm范围内的厚度。

14.根据权利要求1至4中任一项所述的晶体管，其中所述电介质层具有在2.5-25范围内的介电常数。

15.根据权利要求1至4中任一项所述的晶体管，其载流子迁移率是沟道长度为50μm的其他相同晶体管的载流子迁移率的至少50％。