[发明专利]基板制造的方法和设备

权利要求书

1.一种用于执行动态随机存取存储器(DRAM)位线堆叠工艺的群集工具，所述群集工具包括：

真空传送模块(VTM)，所述真空传送模块(VTM)被配置为在真空条件下接收具有形成于其上的多晶硅插塞的基板，且在不中断真空的情况下将所述基板传送至多个处理腔室和从所述多个处理腔室传送基板，每一处理腔室独立地连接至所述VTM，以在所述基板上执行多个DRAM位线工艺中的对应一个，所述多个处理腔室包括：

预清洁腔室，所述预清洁腔室被配置为从所述基板的表面移除原生氧化物；

阻挡金属沉积腔室，所述阻挡金属沉积腔室被配置为在所述基板的所述表面上沉积阻挡金属；

阻挡层沉积腔室，所述阻挡层沉积腔室被配置为在所述基板的所述表面上沉积阻挡层；

位线金属沉积腔室，所述位线金属沉积腔室被配置为在所述基板的所述表面上沉积位线金属层；和

硬掩模沉积腔室，所述硬掩模沉积腔室被配置为在所述基板的所述表面上沉积硬掩模层。

2.如权利要求1所述的群集工具，其中所述多个处理腔室进一步包括：

退火腔室，所述退火腔室被配置为在所述基板上执行退火工艺；和

封盖腔室，所述封盖腔室被配置为在所述基板的所述表面上沉积帽层。

3.如权利要求1所述的群集工具，其中所述阻挡金属沉积腔室被配置以沉积的所述阻挡金属包括钛(Ti)或钽(Ta)的至少一者。

4.如权利要求1所述的群集工具，其中所述阻挡金属沉积腔室被配置以沉积的所述阻挡层包括氮化钛(TiN)、氮化钽(TaN)或氮化钨(WN)的至少一者。

5.如权利要求1所述的群集工具，其中所述位线金属沉积腔室被配置以沉积的所述位线金属层包括钨(W)、钼(Mo)、钌(Ru)、铱(Ir)或铑(Rh)的至少一者。

6.如权利要求1所述的群集工具，其中所述硬掩模沉积腔室被配置以沉积的所述硬掩模层包括氮化硅(SiN)、氧化硅(SiO)或碳化硅(SiC)的至少一者。

7.如权利要求1至6中任一项所述的群集工具，其中所述群集工具进一步包括被配置为控制所述多个处理腔室的控制器。

8.一种用于执行动态随机存取存储器(DRAM)位线堆叠工艺的方法，所述方法包括：

在真空条件下在群集工具的真空传送模块(VTM)中接收具有多晶硅插塞的基板；

在不中断真空的情况下将所述基板从所述VTM传送至预清洁腔室且从所述基板上的所述多晶插塞的表面移除原生氧化物；

在不中断真空的情况下将所述基板从所述预清洁腔室传送至阻挡金属沉积腔室并在所述多晶插塞上沉积阻挡金属；

在不中断真空的情况下将所述基板从所述阻挡金属沉积腔室传送至阻挡层沉积腔室并在所述阻挡金属上沉积阻挡层；

在不中断真空的情况下将所述基板从所述阻挡层沉积腔室传送至位线金属沉积腔室并在所述阻挡层上沉积位线金属层；和

在不中断真空的情况下将所述基板从所述位线金属沉积腔室传送至硬掩模沉积腔室并在所述位线金属层上沉积硬掩模层。

9.如权利要求8所述的方法，进一步包括在不中断真空的情况下将所述基板从所述阻挡金属沉积腔室传送至所述阻挡层沉积腔室之前，在不中断真空的情况下将所述基板从所述阻挡金属沉积腔室传送至退火处理腔室并在所述基板上执行退火工艺。

10.如权利要求8所述的方法，进一步包括在不中断真空的情况下将所述基板从所述位线金属沉积腔室传送至所述硬掩模沉积腔室之前：

在不中断真空的情况下，将所述基板从所述位线金属沉积腔室传送至退火处理腔室并在所述基板上执行退火工艺；和

在不中断真空的情况下，将所述基板从所述退火处理腔室传送至封盖腔室并在所述位线金属层上沉积帽层。

11.如权利要求8所述的方法，其中所述阻挡金属沉积腔室所沉积的所述阻挡金属层包括钛(Ti)或钽(Ta)的至少一者。