[发明专利]通过将光学信号拟合到点扩散函数的缺陷分类

说明书

使用光学显微镜检验半导体裸片以产生所述半导体裸片的测试图像。导出所述半导体裸片的所述测试图像与参考图像之间的差异图像。针对所述半导体裸片的多个缺陷中的每一缺陷，将点扩散函数拟合到如在所述差异图像中指示的所述缺陷且确定所述经拟合点扩散函数的一或多个尺寸。至少部分基于所述多个缺陷中的相应缺陷的所述经拟合点扩散函数的所述一或多个尺寸来区分所述多个缺陷中的潜在所关注缺陷与扰乱点缺陷。

相关申请案

本申请案主张2018年11月30日申请的标题为“通过将缺陷信号拟合到点扩散函数来区分所关注点状缺陷与扩展工艺变动的方法(Method to Distinguish Point-LikeDefects of Interest From Extended Process Variation by Fitting Defect Signalsto a Point Spread Function)”的第62/773,834号美国临时专利申请案的优先权，所述申请案的全文特此出于全部目的以引用的方式并入。

技术领域

本发明涉及半导体检验且更具体来说，涉及对通过半导体检验检测的缺陷进行分类。

背景技术

现代光学半导体检验工具使用比典型缺陷的尺寸显著长通常一个数量级或更多的波长。因而，检验工具无法分辨缺陷且因此无法提供展示缺陷的图像；代替性地，检验工具仅提供缺陷已被检测到的指示。此外，许多经检测缺陷是不影响装置功能性且是工艺集成及良率改进工程师所不感兴趣的所谓扰乱点缺陷。另外，扰乱点缺陷的数量可比所关注缺陷的数量多(例如)1000倍或更多。大量扰乱点缺陷使得对全部经识别缺陷执行后续失效分析(例如，使用扫描电子显微镜进行可视化)不实际。大量扰乱点缺陷也使得无法确定是否应归因于大量所关注缺陷而将晶片报废或重做。

发明内容

因此，需要区分所关注缺陷与扰乱点缺陷的经改进方法及系统。这些方法及系统可涉及将光学检验结果拟合到点扩散函数。

在一些实施例中，一种识别所关注半导体缺陷的方法包含使用光学显微镜检验半导体裸片以产生所述半导体裸片的测试图像。所述方法也包含：导出所述半导体裸片的所述测试图像与参考图像之间的差异图像；且针对所述半导体裸片的多个缺陷中的每一缺陷，将点扩散函数拟合到如在所述差异图像中指示的所述缺陷且确定所述经拟合点扩散函数的一或多个尺寸。所述方法进一步包含至少部分基于所述多个缺陷中的相应缺陷的所述经拟合点扩散函数的所述一或多个尺寸来区分所述多个缺陷中的潜在所关注缺陷与扰乱点缺陷。

在一些实施例中，一种识别所关注半导体缺陷的方法包含使用光学显微镜检验半导体裸片以产生所述半导体裸片的测试图像。所述方法也包含：导出所述半导体裸片的所述测试图像与参考图像之间的差异图像；及将多个点扩散函数的求和拟合到所述差异图像。所述多个点扩散函数中的每一点扩散函数在所述半导体裸片中的不同预定义位置上居中且具有与所述光学显微镜相关联的固定宽度。执行所述拟合包含确定所述多个点扩散函数中的相应点扩散函数的参数(例如，系数)。所述方法进一步包含至少部分基于所述相应点扩散函数的所述参数(例如，系数)来区分所述半导体裸片的多个缺陷中的潜在所关注缺陷与扰乱点缺陷。

在一些实施例中，一种非暂时性计算机可读存储媒体存储用于通过包含光学显微镜(即，半导体检验工具)的半导体检验系统的一或多个处理器执行的一或多个程序。所述一或多个程序包含用于引起所述光学显微镜检验半导体裸片以产生所述半导体裸片的测试图像的指令。所述一或多个程序还包含用于执行上文方法中的任一者或两者的其它步骤的指令。

附图说明

为了更好地理解各种所描述实施例，应结合以下图式参考下文的具体实施方式。

图1到3展示根据一些实施例的识别所关注半导体缺陷的方法的流程图。

图4是展示根据一些实施例的裸片上的缺陷在两个方向上的标准偏差的分布的散点图。