[发明专利]用于在衬底上形成钼薄膜的方法在审
| 申请号： | 201980069107.2 | 申请日： | 2019-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN112889132A | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | T·H·鲍姆;B·C·亨德里克斯;P·S·H·陈;R·小赖特;J·韦肯纳 | 申请（专利权）人： | 恩特格里斯公司 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;H01L21/28;H01L21/02;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 李婷 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 衬底 形成 薄膜 方法 | ||
1.一种在衬底上形成含钼材料的工艺，其包含在气相沉积条件下使所述衬底与二氯二氧化钼(MoO2Cl2)蒸气接触以将所述含钼材料沉积于所述衬底上。
2.根据权利要求1所述的工艺，其中所述衬底选自氮化钛(TiN)、氮化钽(TaN)、氮化铝(AlN)、氧化铝(Al2O3)、氧化锆(ZrO2)、氧化铪(HfO2)、二氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiN)、氧化镧(La2O3)、氧化钌(RuO2)、氧化铱(IrO2)、氧化铌(Nb2O5)和氧化钇(Y2O3)。
3.根据权利要求2所述的工艺，其中所述衬底是氮化钛。
4.根据权利要求2所述的工艺，其中所述衬底是氧化铝。
5.根据权利要求2所述的工艺，其中所述衬底是二氧化硅。
6.根据权利要求2所述的工艺，其中所述衬底是氮化硅。
7.根据权利要求3所述的工艺，其中所述氮化钛衬底与二氯二氧化钼蒸气的所述接触在约350℃到约750℃的温度下进行。
8.根据权利要求4所述的工艺，其中所述氧化铝衬底与二氯二氧化钼蒸气的所述接触在约350℃到约750℃的温度下进行。
9.根据权利要求5所述的工艺，其中所述二氧化硅衬底与二氯二氧化钼蒸气的所述接触在约350℃到约750℃的温度下进行。
10.根据权利要求1所述的工艺，其中选择所述气相沉积条件以使得所述沉积的含钼材料具有小于约50μΩ·cm的电阻率。
11.根据权利要求1所述的工艺，其中选择所述气相沉积条件以使得所述沉积的含钼材料具有小于约20μΩ·cm的电阻率。
12.根据权利要求1所述的工艺，其中所述气相沉积条件进一步包含H2。
13.根据权利要求12所述的工艺，其中所述气相沉积条件进一步包含浓度大于或等于4摩尔当量的H2。
14.根据权利要求1所述的工艺，其中所述气相沉积条件为脉冲化学气相沉积条件。
15.根据权利要求1所述的工艺，其中所述含钼材料以75％到100％的步阶式覆盖率沉积于所述衬底上。
16.根据权利要求3所述的工艺，其中氮化钛蚀刻为小于约10埃/分钟。
17.根据权利要求4所述的工艺，其中所述沉积在无需预处理所述氧化铝衬底的情况下进行。
18.根据权利要求5所述的工艺，其中所述沉积在无需预处理所述二氧化硅衬底的情况下进行且通过ASTM D 3359-02-用于利用带测试测量粘附性的标准测试方法，所得钼薄膜展现95％的粘附性。
19.根据权利要求1所述的工艺，其中所述工艺在无需预成核步骤的情况下进行。
20.一种半导体装置，其具有沉积于其上的钼薄膜，其中当在厚度为的薄膜上测量时，所述薄膜包含大于99％钼、小于1％氧、大于99％的保形性和小于20μΩ·cm的电阻率。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
