[发明专利]通过光阑结构对可移动IR发射器的调制

权利要求书

1.可调制的红外发射器(1)，包括

光阑结构(3)，

结构化微加热元件(5)，以及

致动器(7)，

其特征在于，

所述微加热元件(5)在第一平面(10)中表现出可加热区域(9)和非可加热区域(11)；所述光阑结构(3)在第二平面(12)中表现出用于红外辐射的透射区域(13)和不透射区域(15)，所述两个平面彼此平行，所述光阑结构(3)和所述微加热元件(5)能够在所述平行平面中相对于彼此移动，并且所述致动器(7)被配置用于所述光阑结构(3)和所述微加热元件(5)在至少第一位置和第二位置之间的相对移动，使得对于由所述微加热元件(5)发射的、通过在所述第一位置和所述第二位置之间的所述光阑结构(3)的红外辐射，能够达到至少为2的消光比，其中，在所述第一位置，由所述可加热区域(9)发射的IR辐射主要被所述光阑结构(3)的所述不透射区域(15)吸收和/或反射，而在所述第二位置，由所述可加热区域(9)发射的IR辐射主要辐射通过所述光阑结构(3)的所述透射区域(13)。

2.根据前述权利要求中的一项或更多项所述的可调制的红外发射器(1)，

其特征在于，

所述致动器(7)耦接到所述加热元件(5)并且被配置用于所述加热元件(5)相对于所述光阑结构(3)的平移移动，或者所述致动器(7)耦接到所述光阑结构(3)并且被配置用于所述光阑结构(3)相对于所述加热元件(5)的平移移动。

3.根据前述权利要求中的一项或更多项所述的可调制的红外发射器(1)，

其特征在于，

所述红外发射器(1)包括壳体(18)，在所述壳体中安装有所述光阑结构(3)、所述微加热元件(5)和所述致动器(7)，其中，所述光阑结构(3)优选地与所述壳体(18)热解耦合，并且其中，所述壳体(18)特别优选地包括盖元件(21)，在所述盖元件中固定有所述光阑结构(3)，并且至少一个光学滤波器被附加地安装在所述盖元件(21)中。

4.根据前述权利要求中的一项或更多项所述的可调制的红外发射器(1)，

其特征在于，

所述微加热元件(5)包括基板，在所述基板上至少部分地沉积导电材料的可加热层，在所述导电材料的可加热层上存在用于电流源和/或电压源的接触部，

其中，所述基板优选地选自包括硅、单晶硅、多晶硅、二氧化硅、碳化硅、硅锗、氮化硅、氮化物、锗、碳、砷化镓、氮化镓和/或磷化铟的组，和/或用于形成所述可加热层的导电材料优选地选自包括铂、钨、(掺杂的)氧化锡、单晶硅、多晶硅、钼、钛、钽、钛钨合金、金属硅化物、铝、石墨和/或铜的组。

5.根据前述权利要求中的一项或更多项所述的可调制的红外发射器(1)，

其特征在于，

所述微加热元件(5)包括片层结构(17)、曲折结构和/或栅格结构，和/或

关于所述微加热元件(5)和所述光阑结构(3)之间的可能的相对移动，在所述第一平面(10)中周期性地布置所述微加热元件的所述可加热区域(9)和所述非可加热区域(11)，以及在所述第二平面(12)中周期性地布置所述光阑结构(3)的所述透射区域(13)和所述不透射区域(15)，

其中，优选地，所述微加热元件(5)的所述可加热区域(9)和所述非可加热区域(11)的布置的空间周期等于所述透射区域(13)和所述不透射区域(15)的布置的空间周期。

6.根据前述权利要求中的一项或更多项所述的可调制的红外发射器(1)，

其特征在于，

所述致动器(7)是MEMS致动器，所述致动器优选地选自包括静电致动器、压电致动器、电磁致动器和/或热致动器的组，其中，所述MEMS致动器特别优选地是基于梳齿重叠和/或梳齿间隔的变化的梳齿驱动器形式的静电致动器。

7.根据前述权利要求中的一项或更多项所述的可调制的红外发射器(1)，

其特征在于，

所述光阑结构(3)的所述不透射区域(15)在780nm至1mm的波长范围内表现出小于0.1的透射率，并且所述光阑结构(3)的所述透射区域(13)表现出大于0.9的透射率。