[发明专利]用于测量颗粒的方法和设备在审
申请号: | 201980059751.1 | 申请日: | 2019-09-05 |
公开(公告)号: | CN112703576A | 公开(公告)日: | 2021-04-23 |
发明(设计)人: | 阿米尔·A·亚西尔;吉里什·M·洪迪;约翰·迈克尔·克恩斯;杜安·奥特卡;约翰·多尔蒂;克利夫·拉克鲁瓦 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;H01L21/67;H01L21/66 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 樊英如;张静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 测量 颗粒 方法 设备 | ||
提供了一种用于测量部件的关键表面上的污染的设备。提供了用于安装所述部件的容器。惰性气体源与所述容器流体连接且适用于提供惰性气体到所述容器。至少一个扩散器接收来自所述容器的所述惰性气体,其中当所述部件安装在所述容器中时,所述部件的所述关键表面暴露于所述惰性气体。至少一个分析器适用于接收来自所述至少一个扩散器的所述惰性气体且测量所述惰性气体中的污染物。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2018年9月12日申请的美国申请No.62/730,320的优先权利益,其通过引用合并于此以用于所有目的。
技术领域
本发明整体上涉及测量部件上的颗粒的方法和设备。更具体地,本发明涉及用于测量等离子体处理室的关键室部件上的残余颗粒的方法和设备。
背景技术
在形成半导体装置时,等离子体室具有部件,其中部件上的颗粒的存在会在形成半导体装置时造成污染。
发明内容
为了达到前述且根据本公开内容的目的,提供了一种用于测量部件的关键表面上的污染的设备。提供了用于安装所述部件的容器。惰性气体源与所述容器流体连接且适用于提供惰性气体到所述容器,其中当所述部件安装在所述容器中时,所述部件的所述关键表面暴露于所述惰性气体。至少一个扩散器接收来自所述容器的所述惰性气体。至少一个分析器适用于接收来自所述至少一个扩散器的所述惰性气体且测量所述惰性气体中的污染物。
在另一实现方式中,提供了一种用于测试部件的污染物的方法。将所述部件放置在测试容器中。使惰性气体流经所述测试容器,其中所述测试容器使所述惰性气体流过所述部件的一或更多个关键表面。使所述惰性气体从所述测试容器流动到至少一个扩散器。使所述惰性气体从所述至少一个扩散器流动到颗粒计数器。使用所述颗粒计数器测量所述惰性气体中的污染物。
将在以下详细说明中并且结合附图来更详细地描述本公开内容的这些和其他特征
附图说明
本公开内容在附图的图中是通过举例方式而非通过限制方式进行说明,且其中类似的附图标记代表相似的元件,并且在附图中:
图1为用于一实施方案的气体注射器。
图2为一实施方案的示意图。
图3为具有气体注射器的测试容器的剖视图。
具体实施方式
本公开内容现将参照如附图中所示出的其一些示例性实施方案来详细描述。在以下描述中,阐述了许多特定细节以提供对本公开内容的完整了解。然而,本领域技术人员应当理解,本公开内容可在不具有这些特定细节中的一些或全部的情况下来实现。在其他情况中,并未详细地描述已知的工艺步骤和/或结构,以免不必要地使本公开内容难以理解。
包括蚀刻和沉积工具的半导体制造设备工艺模块在晶片工艺室中使用关键硬件组件。必须避免在任何蚀刻和/或沉积模块部件的安装前或安装时负载于其上的亚微米与纳米尺寸的颗粒。避免这样的颗粒确保了下一代的室部件材料会符合不断缩减的技术节点方面的严格的缺陷率需求。开箱即用的不洁关键部件会在工艺模块的起初启始时在晶片上导致许多缺陷问题。缺陷问题在许多不同方面造成负面且不希望有的影响,所述许多不同方面包括例如工具启始时间、应用资格、产品良率以及总系统的生产率等等。为了避免缺陷问题,新制造的关键室部件的陶瓷表面必须使用稳健(robust)清洁方法清洁至高的精度,该稳健清洁方法的目标在于移除较大的颗粒污染物以及也会存在于部件上的亚微米和纳米尺寸的颗粒。
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