[发明专利]固体摄像装置和电子设备

说明书

本发明旨在实现单一曝光下的宽动态范围。根据本发明实施方案的固体摄像装置包括：第一基板(140)，其包括光电转换元件(101)；第二基板(150)，其位于所述第一基板的向所述光电转换元件入射光的入射面的相反侧，所述第二基板包括电容器(152)，所述电容器被构造成累积从所述光电转换元件传输过来的电荷。

技术领域

本公开涉及固体摄像装置和电子设备。

背景技术

在互补金属氧化物半导体(CMOS:complementary metal oxide semiconductor)型的固体摄像装置(在下文中，称为“CMOS图像传感器”或简称为“图像传感器”或“固体摄像装置”)中，已经在光电转换部(光接收部)中产生的信号电荷在浮动扩散电容(浮动扩散部：FD)中被转换为电压。通过FD中的转换而获得的电压经由由放大晶体管构成的源极跟随电路作为输出电压(也称为“像素信号”)而被读出。

引用文献列表

专利文献

专利文献1：日本专利第5066704号公报

发明内容

要解决的技术问题

像素的输出电压V由V＝Q/C给出，其中C表示信号检测电容，Q表示与所接收到的光信号对应的信号电荷量。因此，在近年来的微细化的元件构造中，例如，由于电容元件的每单位面积的电容的限制，所以无法增大信号检测电容C，结果，就导致难以实现例如车载图像传感器等所需求的单一曝光下的宽动态范围。

鉴于上述状况，本公开提出了能够实现单一曝光下的宽动态范围的固体摄像装置和电子设备。

解决技术问题的技术方案

为了解决上述问题，根据本公开的一个方面的固体摄像装置包括：第一基板，其包括光电转换元件；第二基板，其位于所述第一基板的向所述光电转换元件入射光的入射面的相反侧，所述第二基板包括电容器，所述电容器被构造成累积从所述光电转换元件传输过来的电荷。

附图说明

图1是示出根据第一实施方案的固体摄像装置的示意性构造示例的框图。

图2是示出根据第一实施方案的有效像素区域的单位像素的示意性构造示例的电路图。

图3是示出根据第一实施方案的图像传感器的截面构造示例的截面图。

图4是示出根据第一实施方案的单位像素的截面构造示例的截面图。

图5是示出图4中的A-A截面的布局示例的图。

图6是示出图4中的B-B截面的布局示例的图。

图7是用于示出根据第一实施方案的图像传感器的制造方法的工序截面图(部分1)。

图8是用于示出根据第一实施方案的图像传感器的制造方法的工序截面图(部分2)。

图9是用于示出根据第一实施方案的图像传感器的制造方法的工序截面图(部分3)。

图10是用于示出根据第一实施方案的图像传感器的制造方法的工序截面图(部分4)。

图11是示出根据第二实施方案的有效像素区域的共用像素的示意性构造示例的电路图。

图12是示出根据第二实施方案的共用像素的截面构造示例的截面图。

图13是示出图12中的C-C截面的布局示例的图。

图14是示出图12中的D-D截面的布局示例的图。

图15是示出根据第三实施方案的图像传感器的截面构造示例的截面图。