[发明专利]固体摄像装置和电子设备在审
申请号: | 201980059165.7 | 申请日: | 2019-08-06 |
公开(公告)号: | CN112740409A | 公开(公告)日: | 2021-04-30 |
发明(设计)人: | 滝沢正明;坂野頼人 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/369 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 陈桂香;曹正建 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固体 摄像 装置 电子设备 | ||
1.一种固体摄像装置,包括:
第一基板,其包括光电转换元件;和
第二基板,其位于所述第一基板的向所述光电转换元件入射光的入射面的相反侧,所述第二基板包括电容器,所述电容器被构造成累积从所述光电转换元件传输过来的电荷。
2.根据权利要求1所述的固体摄像装置,其中,所述电容器是沟槽型电容器。
3.根据权利要求1所述的固体摄像装置,其中,
所述第一基板包括多个所述光电转换元件,并且
所述电容器被构造成累积从所述多个光电转换元件中的至少一者传输过来的电荷。
4.根据权利要求1所述的固体摄像装置,其中,所述电容器包括多个沟槽型电容器。
5.根据权利要求4所述的固体摄像装置,其中,所述多个沟槽型电容器彼此并联连接。
6.根据权利要求1所述的固体摄像装置,其中,所述第一基板和所述第二基板通过直接接合而彼此接合。
7.根据权利要求1所述的固体摄像装置,其中,
所述第一基板还包括:设置在与所述入射面相反的表面上的第一铜电极垫,
所述第二基板还包括:设置在与所述第一基板面对着的表面上的第二铜电极垫,并且
所述第一基板和所述第二基板通过所述第一铜电极垫和所述第二铜电极垫之间的接合而彼此接合。
8.根据权利要求1所述的固体摄像装置,其中,所述第一基板还包括传输晶体管,所述传输晶体管被构造成控制从所述光电转换元件向所述电容器的电荷传输。
9.根据权利要求1所述的固体摄像装置,其中,所述第二基板还包括像素电路,所述像素电路包括:
复位晶体管,其被构造成控制累积于所述电容器中的电荷的释放;
放大晶体管,其被构造成在漏极处出现与累积于所述电容器中的电荷量对应的电压值的像素信号;以及
选择晶体管,其被构造成切换所述放大晶体管的所述漏极与预定配线之间的连接。
10.根据权利要求9所述的固体摄像装置,其中,所述电容器连接在所述放大晶体管的栅极与接地之间。
11.根据权利要求9所述的固体摄像装置,还包括:
切换晶体管,所述切换晶体管的源极连接到所述放大晶体管的栅极,并且所述切换晶体管的漏极连接到所述复位晶体管的源极,
其中,所述电容器连接在将所述复位晶体管的所述源极和所述切换晶体管的所述漏极彼此连接的节点与接地之间。
12.根据权利要求9所述的固体摄像装置,还包括:
第三基板,其位于所述第二基板的与所述第一基板面对着的表面的相反侧,
其中,所述第三基板包括电路元件,所述电路元件被构造成对已经出现在所述预定配线中的所述像素信号执行预定处理。
13.根据权利要求12所述的固体摄像装置,其中,所述电路元件包括转换电路,所述转换电路被构造成将已经出现在所述预定配线中的所述像素信号转换为数字值。
14.根据权利要求13所述的固体摄像装置,其中,所述电路元件还包括逻辑电路,所述逻辑电路被构造成对由所述转换电路转换为数字值的所述像素信号执行相关双采样处理。
15.根据权利要求12所述的固体摄像装置,其中,所述第二基板和所述第三基板通过直接接合而彼此接合。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的