[发明专利]具有延长寿命的约束环在审
申请号: | 201980056461.1 | 申请日: | 2019-08-22 |
公开(公告)号: | CN112640084A | 公开(公告)日: | 2021-04-09 |
发明(设计)人: | 贾斯廷·查尔斯·卡尼夫 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L21/67;H01L21/683;H01L21/3065 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 李献忠;张华 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 延长 寿命 约束 | ||
1.一种用于衬底处理系统的约束环,所述约束环包含:
下壁、外壁和上壁,其限定在所述约束环内的等离子体区域:
第一多个槽,其形成于所述下壁内,其中所述第一多个槽提供在所述约束环内的所述等离子体区域和所述约束环外部的环境之间的流体连通;
凹部,其限定在所述下壁的下表面中;以及
下环,其设置在所述下表面的所述凹部内,其中所述下环包含第二多个槽,所述第二多个槽提供在所述约束环内的所述等离子体区域和在所述约束环外部的环境之间的经由所述第一多个槽的流体连通。
2.根据权利要求1所述的约束环,其中所述下壁包含第一材料,且所述下环包含不同于所述第一材料的第二材料。
3.根据权利要求2所述的约束环,其中所述第二材料具有比所述第一材料更大的对等离子体蚀刻的抗性。
4.根据权利要求2所述的约束环,其中所述第一材料包含硅,且所述第二材料包含阳极氧化铝。
5.根据权利要求2所述的约束环,其中所述第一材料包含硅,且所述第二材料包含氧化钇(Y2O3)。
6.根据权利要求2所述的约束环,其中所述第二材料包含金刚石涂层。
7.根据权利要求6所述的约束环,其中使用化学气相沉积将所述金刚石涂层沉积在所述下环上。
8.根据权利要求1所述的约束环,其中所述下环的厚度介于所述下壁的厚度的10%和50%之间。
9.根据权利要求1所述的约束环,其中所述下环包含多个区段。
10.根据权利要求9所述的约束环,其中所述区段之间的间隙与所述第二多个槽中的一者轴向地对准。
11.根据权利要求9所述的约束环,其中所述区段之间的间隙位于所述第二多个槽的相邻槽之间。
12.根据权利要求1所述的约束环,其中围绕所述下环的所述第二多个槽的相邻槽之间的间隔是均匀的。
13.根据权利要求1所述的约束环,其中所述下环被配置成在所述凹部内旋转。
14.根据权利要求11所述的约束环,其中所述下环被配置成:(i)设置在所述凹部内的第一位置,使得所述第二多个槽中的每一者与所述第一多个槽的相对应的一者轴向地对准;以及(ii)旋转至所述凹部内的第二位置,使得所述第二多个槽中的每一者不与所述第一多个槽的所述相对应的一者轴向地对准。
15.一种用于调节约束环的传导性的方法,所述约束环用于衬底处理系统,所述方法包含:
将下环提供至所述约束环的下壁内,其中所述约束环包含第一多个槽,并且所述下环包含第二多个槽,且其中所述下环相对于所述约束环是在第一径向位置;
将所述下环相对于所述约束环从所述第一径向位置调节至第二径向位置以调节所述约束环的所述传导性。
16.根据权利要求15所述的方法,其中在所述第一径向位置,所述第二多个槽中的各个槽与所述第一多个槽中的各个槽轴向地对准。
17.根据权利要求16所述的方法,其中在所述第二径向位置,所述第二多个槽中的所述各个槽不与所述第一多个槽中的所述各个槽轴向地对准。
18.根据权利要求15所述的方法,其中在所述衬底处理系统内执行预定数量的等离子体处理之后,将所述下环从所述第一径向位置调节至所述第二径向位置。
19.根据权利要求18所述的方法,其中所述预定数量的等离子体处理包含预定次数的蚀刻循环和预定时段的蚀刻中的至少一者。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于朗姆研究公司,未经朗姆研究公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201980056461.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于运行车辆的至少一个电部件的方法
- 下一篇:车辆用空调设备
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造