[发明专利]3D NAND结构中氮化硅的蚀刻和二氧化硅的沉积控制

权利要求书

1.一种蚀刻衬底的方法，该方法包括：

在蚀刻处理系统的槽中提供蚀刻溶液，该蚀刻处理系统被配置为控制该蚀刻溶液的温度、该蚀刻溶液的浓度以及该蚀刻溶液在该槽内的流动；

将衬底浸入该蚀刻溶液中，该衬底包含具有第一材料和第二材料的交替层的微加工结构，该蚀刻溶液包括蚀刻该第一材料的酸；

以第一蚀刻速率开始该第一材料的蚀刻，该第一材料的蚀刻导致要从该衬底上移除的蚀刻产物；

监测该蚀刻溶液内该蚀刻产物的浓度；并且

响应于识别出该蚀刻产物的浓度大于预定值，将该第一蚀刻速率降低至第二蚀刻速率。

2.如权利要求1所述的方法，其中，通过降低该蚀刻溶液的温度来执行降低该第一蚀刻速率。

3.如权利要求1所述的方法，其中，通过降低该蚀刻溶液内该酸的浓度来执行降低该第一蚀刻速率。

4.如权利要求1所述的方法，其进一步包括

响应于识别出该蚀刻产物的浓度低于第二预定值，将给定的蚀刻速率增加至第三蚀刻速率。

5.如权利要求4所述的方法，其中，通过增加该蚀刻溶液的温度来执行增加该给定的蚀刻速率。

6.如权利要求4所述的方法，其中，通过增加该蚀刻溶液内该酸的浓度来执行增加该给定的蚀刻速率。

7.如权利要求1所述的方法，其中，该第一材料包含氮化硅，该第二材料包含氧化硅，并且该蚀刻产物包括二氧化硅。

8.如权利要求7所述的方法，其中，该酸包括磷酸。

9.如权利要求7所述的方法，其中，在该蚀刻溶液中该蚀刻产物的浓度的预定值为约70ppm。

10.如权利要求1所述的方法，其中，该衬底是该槽中的多个衬底之一。

11.如权利要求10所述的方法，其中，该多个衬底的间距使得该蚀刻溶液能够对流。

12.如权利要求1所述的方法，其中，该微加工结构包括存储装置。

13.如权利要求12所述的方法，其中，该存储装置包括3D NAND装置。

14.一种蚀刻衬底的方法，该方法包括：

在蚀刻处理系统的槽中提供蚀刻溶液，该蚀刻处理系统被配置为控制该蚀刻溶液的温度、该蚀刻溶液的浓度以及该蚀刻溶液在该槽内的流动；

将衬底浸入该蚀刻溶液中，该衬底包含具有第一材料和第二材料的交替层的微加工结构，该蚀刻溶液包括蚀刻该第一材料的酸；

以第一蚀刻速率开始该第一材料的蚀刻，该第一材料的蚀刻导致要从该衬底上移除的蚀刻产物；

监测该蚀刻溶液内该蚀刻产物的浓度；并且

响应于识别出该蚀刻产物的浓度下降至低于预定值，将该第一蚀刻速率增加至第二蚀刻速率。

15.如权利要求14所述的方法，其中，该第一材料包含氮化硅，该第二材料包含氧化硅，该蚀刻产物包括二氧化硅，并且该酸包括磷酸。

16.一种蚀刻衬底的方法，该方法包括：

在蚀刻处理系统的槽中提供蚀刻溶液，该蚀刻处理系统被配置为控制该蚀刻溶液的温度、该蚀刻溶液的浓度以及该蚀刻溶液在该槽内的流动；

将衬底浸入该蚀刻溶液中，该衬底包含具有第一材料和第二材料的交替层的微加工结构，该蚀刻溶液包括蚀刻该第一材料的酸；

以第一蚀刻速率开始该第一材料的蚀刻，该第一材料的蚀刻导致要从该衬底上移除的蚀刻产物；

监测该蚀刻溶液内该蚀刻产物的浓度；并且

将该蚀刻溶液内的该蚀刻产物的浓度维持在低于预定值，以防止该蚀刻产物以阻碍通过该蚀刻溶液蚀刻该第一材料的量沉积在该第二材料上。