[发明专利]MEMS器件的制造方法及MEMS器件

权利要求书

1.一种MEMS器件的制造方法，所述MEMS器件具有MEMS器件晶圆及CAP晶圆，所述MEMS器件晶圆在基板上形成有活动元件，所述CAP晶圆以形成活动空间且覆盖所述MEMS器件晶圆的方式而设置，所述活动元件以可动的方式收纳于所述活动空间中，所述制造方法的特征在于，

所述CAP晶圆为硅制，并具有以与所述活动空间连通的方式形成的通气孔，

以将所述CAP晶圆与所述MEMS器件晶圆接合的状态，在氢气氛围中进行热处理，通过所述CAP晶圆的硅的表面迁移来堵塞所述通气孔，由此将所述活动空间密封。

2.一种MEMS器件的制造方法，所述MEMS器件具有MEMS器件晶圆及CAP晶圆，所述MEMS器件晶圆在基板上形成有活动元件，所述CAP晶圆以形成活动空间且覆盖所述MEMS器件晶圆的方式而设置，所述活动元件以可动的方式收纳于所述活动空间中，所述制造方法的特征在于，

所述基板为硅制，并具有以与所述活动空间连通的方式形成的通气孔，

以将所述CAP晶圆与所述MEMS器件晶圆接合的状态，在氢气氛围中进行热处理，通过所述基板的硅的表面迁移来堵塞所述通气孔，由此将所述活动空间密封。

3.一种MEMS器件的制造方法，所述MEMS器件具有MEMS器件晶圆及CAP晶圆，所述MEMS器件晶圆在基板上形成有活动元件，所述CAP晶圆以形成活动空间且覆盖所述MEMS器件晶圆的方式而设置，所述活动元件以可动的方式收纳于所述活动空间中，所述制造方法的特征在于，

所述MEMS器件晶圆的与所述CAP晶圆的接合部和/或所述CAP晶圆为硅制，

以将所述CAP晶圆与所述MEMS器件晶圆接合、并在其接合界面形成有与所述活动空间连通的通气孔的状态，在氢气氛围中进行热处理，通过所述接合部和/或所述CAP晶圆的硅的表面迁移来堵塞所述通气孔，由此将所述活动空间密封。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的MEMS器件的制造方法，其特征在于，所述通气孔的至少一部分的直径具有能够通过所述表面迁移而被闭塞的大小。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的MEMS器件的制造方法，其特征在于，所述通气孔通过将直径彼此不同的所述活动空间侧的内侧孔和与所述活动空间为相反侧的外侧孔连通而成，将所述内侧孔的直径设为将所述外侧孔的直径设为时，

6.根据权利要求1～4中任一项所述的MEMS器件的制造方法，其特征在于，所述通气孔通过将直径彼此不同的所述活动空间侧的内侧孔和与所述活动空间为相反侧的外侧孔连通而成，将所述内侧孔的直径设为将所述外侧孔的直径设为时，

7.根据权利要求1～4中任一项所述的MEMS器件的制造方法，其特征在于，所述通气孔呈锥状，将在所述活动空间侧的表面上的直径设为将在与所述活动空间为相反侧的表面上的直径设为时，

8.根据权利要求1～4中任一项所述的MEMS器件的制造方法，其特征在于，所述通气孔呈锥状，将在所述活动空间侧的表面上的直径设为将在与所述活动空间为相反侧的表面上的直径设为时，

9.根据权利要求1～8中任一项所述的MEMS器件的制造方法，其特征在于，通过在氢气氛围中进行所述热处理，氢气通过热扩散从所述活动空间中流出，所述活动空间成为真空状态或低压状态。

10.根据权利要求1～8中任一项所述的MEMS器件的制造方法，其特征在于，通过在含有非活性气体的氢气氛围中进行所述热处理，氢气通过热扩散从所述活动空间中流出，所述活动空间成为所述非活性气体的低压状态。

11.根据权利要求10所述的MEMS器件的制造方法，其特征在于，所述非活性气体为Ar气。