[发明专利]固态成像元件、固态成像装置、电子设备以及固态成像元件的制造方法在审
申请号: | 201980029961.6 | 申请日: | 2019-06-11 |
公开(公告)号: | CN112088430A | 公开(公告)日: | 2020-12-15 |
发明(设计)人: | 富樫秀晃;八木岩;定荣正大;古闲史彦;村田贤一;平田晋太郎;齐藤阳介;古川明 | 申请(专利权)人: | 索尼公司;索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L27/30;H04N5/369 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 邓珍;曹正建 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 成像 元件 装置 电子设备 以及 制造 方法 | ||
本发明提供了能够增强特性的固态成像元件、固态成像装置、电子设备以及固态成像元件的制造方法。本发明提供了一种固态成像元件(10),包括:层叠结构,所述层叠结构具有:半导体基板(500);第一光电转换部(PD 200),所述第一光电转换部设置在所述半导体基板的上方,并将光转换为电荷;和第二光电转换部(PD 100),所述第二光电转换部设置在所述第一光电转换部的上方,并将光转换为电荷。所述第一光电转换部和所述第二光电转换部具有光电转换层叠结构,在所述光电转换层叠结构中层叠有共通电极(102,202)、光电转换膜(104,204)和读出电极(108,208),使得所述第一光电转换部和所述第二光电转换部以垂直于所述层叠结构的层叠方向的垂直面作为对称轴而彼此呈线对称关系。
技术领域
本公开涉及固态成像元件、固态成像装置、电子设备以及固态成像元件的制造方法。
背景技术
近年来,在诸如电荷耦合器件(CCD)图像传感器和互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器等固态成像元件中,提出了一种层叠结构,其中在单位像素中垂直层叠有用于检测红色光的光电转换元件、用于检测绿色光的光电转换元件和用于检测蓝色光的光电转换元件这三层,并且一个单位像素可以检测三种颜色的光(例如,下列专利文献1~3)。
引用文献列表
专利文献
专利文献1:JP 2017-157816 A
专利文献2:WO 2014/027588 A
专利文献3:JP 2013-55252 A
发明内容
技术问题
然而,当如上述专利文献1~3所述的层叠多个光电转换元件时,难以避免在层叠方向上位于上方的光电转换元件与位于下方的光电转换元件之间的距离的增加。在这样的层叠结构中,由于距离较长的事实,所以难以将光适当地聚焦在所有层叠的光电转换元件上,并且这成为了阻碍固态成像元件的特性的增强的因素之一。因此,为了增强固态成像元件的特性,需要对单位像素中的层叠结构进行进一步的研究。
另外,在常规的方案中,很难说已经专门研究了用于从各光电转换元件输出电荷作为像素信号的像素晶体管的合适的配置。因此,为了增强固态成像元件的特性,从像素晶体管的配置的观点出发,需要对层叠结构进行进一步的研究。
鉴于上述情况,本公开提出了其中可以增强特性的新型的、改进的固态成像元件、固态成像装置、电子设备以及固态成像元件的制造方法。
问题的解决方案
根据本公开,提供了一种固态成像元件,包括:层叠结构,所述层叠结构包括:半导体基板,第一光电转换部,所述第一光电转换部设置在所述半导体基板的上方,并将光转换为电荷,和第二光电转换部,所述第二光电转换部设置在所述第一光电转换部的上方,并将光转换为电荷,其中所述第一光电转换部和所述第二光电转换部包括光电转换层叠结构,在所述光电转换层叠结构中层叠有共通电极、光电转换膜和读出电极,使得所述第一光电转换部和所述第二光电转换部以垂直于所述层叠结构的层叠方向的垂直面作为对称轴而彼此呈线对称关系。
此外,根据本公开,提供了一种包括多个固态成像元件的固态成像装置,其中所述各固态成像元件包括:层叠结构,所述层叠结构包括:第一光电转换部,所述第一光电转换部设置在半导体基板的上方,并将光转换为电荷,和第二光电转换部,所述第二光电转换部设置在所述第一光电转换部的上方,并将光转换为电荷,其中所述第一光电转换部和所述第二光电转换部包括光电转换层叠结构,在所述光电转换层叠结构中层叠有共通电极、光电转换膜和读出电极,使得所述第一光电转换部和所述第二光电转换部以垂直于所述层叠结构的层叠方向的垂直面作为对称轴而彼此呈线对称关系。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的