[发明专利]固态成像元件、固态成像装置、电子设备以及固态成像元件的制造方法在审
申请号: | 201980029961.6 | 申请日: | 2019-06-11 |
公开(公告)号: | CN112088430A | 公开(公告)日: | 2020-12-15 |
发明(设计)人: | 富樫秀晃;八木岩;定荣正大;古闲史彦;村田贤一;平田晋太郎;齐藤阳介;古川明 | 申请(专利权)人: | 索尼公司;索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L27/30;H04N5/369 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 邓珍;曹正建 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 成像 元件 装置 电子设备 以及 制造 方法 | ||
1.一种固态成像元件,包括:
层叠结构,所述层叠结构包括:
半导体基板,
第一光电转换部,所述第一光电转换部设置在所述半导体基板的上方,并将光转换为电荷,和
第二光电转换部,所述第二光电转换部设置在所述第一光电转换部的上方,并将光转换为电荷,
其中所述第一光电转换部和所述第二光电转换部包括光电转换层叠结构,在所述光电转换层叠结构中层叠有共通电极、光电转换膜和读出电极,使得所述第一光电转换部和所述第二光电转换部以垂直于所述层叠结构的层叠方向的垂直面作为对称轴而彼此呈线对称关系。
2.根据权利要求1所述的固态成像元件,其中所述第一光电转换部的所述光电转换层叠结构具有其中以所述垂直面为轴使所述第二光电转换部的所述光电转换层叠结构颠倒的结构。
3.根据权利要求1所述的固态成像元件,其中
所述光电转换层叠结构还包括介于所述光电转换膜和所述读出电极之间的半导体层。
4.根据权利要求1所述的固态成像元件,其中
所述光电转换层叠结构还包括累积电极,所述累积电极通过绝缘膜面对位于所述光电转换膜的与所述共通电极相反的侧上的第一面。
5.根据权利要求4所述的固态成像元件,其中
所述光电转换层叠结构还包括传输电极,所述传输电极通过所述绝缘膜面对所述第一面并控制电荷的传输。
6.根据权利要求4所述的固态成像元件,其中
所述光电转换层叠结构还包括遮挡电极,所述遮挡电极通过所述绝缘膜面对所述第一面。
7.根据权利要求1所述的固态成像元件,其中
所述第一光电转换部的所述光电转换层叠结构包括:
第一读出电极,
第一光电转换膜,所述第一光电转换膜设置在所述第一读出电极的上方,和
第一共通电极,所述第一共通电极设置在所述第一光电转换膜的上方,和
所述第二光电转换部的所述光电转换层叠结构包括:
第二共通电极,
第二光电转换膜,所述第二光电转换膜设置在所述第二共通电极的上方,和
第二读出电极,所述第二读出电极设置在所述第二光电转换膜的上方。
8.根据权利要求7所述的固态成像元件,其中所述第一共通电极和所述第二共通电极是所述第一光电转换部和所述第二光电转换部共用的一体电极。
9.根据权利要求7所述的固态成像元件,其中
所述层叠结构还包括设置在所述第一光电转换部的下方并将光转换为电荷的第三光电转换部。
10.根据权利要求9所述的固态成像元件,其中
所述层叠结构还包括第一控制部,所述第一控制部设置在所述第二光电转换部的上方并且具有电气连接到所述第二光电转换部的多个像素晶体管。
11.根据权利要求10所述的固态成像元件,其中
所述第一控制部包括另一个半导体层,
当从光入射面的上方观察时,所述另一个半导体层具有使所述第二光电转换部的一部分露出的开口部。
12.根据权利要求7所述的固态成像元件,其中
所述层叠结构还包括:
第三光电转换部,所述第三光电转换部设置在所述第二光电转换部的上方,并将光转换为电荷,和
第二控制部,所述第二控制部设置成介于所述第二光电转换部和所述第三光电转换部之间,并且包括电气连接到所述第二光电转换部和所述第三光电转换部的多个像素晶体管。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼公司;索尼半导体解决方案公司,未经索尼公司;索尼半导体解决方案公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的