[发明专利]抗蚀剂下层膜形成用组合物和图案形成方法

权利要求书

1.一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其含有下述式(1)所示的化合物，

[L_xTe(OR¹)_y] (1)

所述式(1)中，L为除OR¹以外的配体，R¹为氢原子、取代或未取代的碳数1～20的直链状或碳数3～20的支链状或环状的烷基、取代或未取代的碳数6～20的芳基、取代或未取代的碳数2～20的烯基、和取代或未取代的碳数2～20的炔基中的任意者，x为0～6的整数，y为0～6的整数，x与y的总计为1～6，x为2以上的情况下，多个L任选相同或不同，y为2以上的情况下，多个R¹任选相同或不同。

2.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其中，所述式(1)所示的化合物中，x为1～6的整数。

3.根据权利要求1或2所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其中，所述式(1)所示的化合物中，y为1～6的整数。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其中，所述式(1)所示的化合物中，R¹为取代或未取代的碳数1～6的直链状或碳数3～6的支链状或环状的烷基。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其中，所述式(1)所示的化合物中，L为二齿以上的配体。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其中，所述式(1)所示的化合物中，L为乙酰丙酮、2,2-二甲基-3,5-己二酮、乙二胺、二亚乙基三胺和甲基丙烯酸中的任意者。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其还包含溶剂。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其还包含产酸剂。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其还包含酸交联剂。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其还包含酸扩散控制剂。

11.根据权利要求1～10中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其还包含聚合引发剂。

12.一种图案形成方法，其包括如下工序：

使用权利要求1～11中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物在基板上形成抗蚀剂下层膜的工序；

在所述抗蚀剂下层膜上形成至少1层光致抗蚀层的工序；和，

对所述光致抗蚀层的规定区域照射辐射线，进行显影的工序。

13.一种图案形成方法，其包括如下工序：

使用权利要求1～11中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物在基板上形成抗蚀剂下层膜的工序；

使用抗蚀剂中间层膜材料在所述抗蚀剂下层膜上形成抗蚀剂中间层膜的工序；

在所述抗蚀剂中间层膜上形成至少1层光致抗蚀层的工序；

对所述光致抗蚀层的规定区域照射辐射线并进行显影而形成抗蚀图案的工序；

以所述抗蚀图案为蚀刻掩模，对所述抗蚀剂中间层膜进行蚀刻，从而形成中间层膜图案的工序；

以所述中间层膜图案为蚀刻掩模，对所述抗蚀剂下层膜进行蚀刻，从而形成下层膜图案的工序；和，

以所述下层膜图案为蚀刻掩模，对基板进行蚀刻，从而在基板形成图案的工序。