[发明专利]平台设备、光刻设备、控制单元和方法

说明书

本发明提供一种平台设备，包括物体支撑件、多个支撑构件、夹持器和控制单元。所述物体支撑件包括用于在其上安装物体的表面，所述表面沿着一平面延伸。多个支撑构件用于支撑所述物体，并布置成从夹持器接收物体并且将物体布置在表面上和/或反之亦然。支撑构件至少在垂直于平面的第一方向上是可移动的。控制单元布置为接收与所述物体的平面外形状有关的形状信息，并且布置为控制所述支撑构件的位置。所述控制单元布置为在物体由所述支撑构件支撑的同时通过基于所述形状信息控制所述位置来使所述物体倾斜，以减少所述物体在所述第一方向上的空间占用。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年4月26日提交的欧洲申请18169639.4和2019年1月8日提交的欧洲申请19150671.6的优先权，这些申请通过引用全文并入本文。

技术领域

本发明涉及光刻的技术领域。

背景技术

光刻设备是一种构造为将期望的图案施加到衬底上的机器。光刻设备能够例如用于集成电路(IC)的制造中。光刻设备可以例如将图案形成装置(例如，掩模)的图案(也经常称为“设计布局”或“设计”)投影到设置在衬底(例如，晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。

随着半导体制造过程继续进步，几十年来，在电路元件的尺寸已经不断地减小的同时每一个器件的功能元件(诸如晶体管)的量已经在稳定地增加，这遵循着通常称为“莫尔定律(Moore’s law)”的趋势。为了跟上莫尔定律，半导体行业正在追寻实现创建越来越小的特征的技术。为了将图案投影到衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。这种辐射的波长决定了被图案化在衬底上的特征的最小尺寸。当前使用的典型的波长是365nm(i线)、248nm、193nm和13.5nm。使用极紫外(EUV)辐射(其波长在4nm至20nm的范围内，例如6.7nm或13.5nm)的光刻设备可以用于在衬底上形成比使用例如波长为193nm的辐射的光刻设备更小的特征。

在将图案投影到衬底上时，衬底典型地安装在衬底支撑件上。为了将衬底布置在衬底支撑件上，布置多个支撑销以接收衬底。在接收到衬底之后，支撑销同时竖直向下移动，直到衬底被衬底支撑件支撑为止。

衬底支撑件上方的竖直方向上的可利用的空间非常有限。近年来，衬底通常不是平坦的，而是具有平面外形状或超出平面的形状，例如翘曲或弯曲。这可能导致衬底与其它部件之间的物理接触，这是不期望的，因为它可能导致所述过程中的误差和中断，从而导致良率下降。

此外，由于平面外形状，衬底的布置较低的部分在衬底的较高部分之前接合衬底支撑件。将衬底夹紧在衬底支撑件上会导致在夹紧之后衬底中的应力分布更高和/或是未知的。

US 2013/0222782A1提出了一种具有多组支撑单元的衬底保持设备，所述多组支撑单元能够用于不同形状的衬底以减少衬底中的变形。

发明内容

本发明的目的是缓解上述不足中的至少一个，或至少提供一种替代的平台设备。

本发明的目的利用包括物体支撑件、多个支撑构件、夹持器和控制单元的平台设备来实现。所述物体支撑件包括用于在其上安装物体的表面。所述表面沿着一平面延伸。多个支撑构件用于支撑所述物体，并布置成从夹持器接收物体并且将物体布置在表面上和/或反之亦然。支撑构件至少在垂直于所述平面的第一方向上是可移动的。控制单元布置为接收与所述物体的平面外形状有关的形状信息，并且布置为控制所述支撑构件的位置。所述控制单元布置为在物体由所述支撑构件支撑的同时通过基于所述形状信息控制所述位置来使所述物体倾斜，以减少所述物体在所述第一方向上的空间占用。

在根据本发明的平台设备中，支撑构件在第一方向上的位置是基于物体的平面外形状来控制的。因此考虑到了所述平面外形状，并由此至少减少了常规设备中所存在的与物体和其它部件之间的接触有关的问题。