[发明专利]使用碳氟化合物阻止层的形貌选择性和区域选择性ALD

权利要求书

1.一种用于选择性沉积膜的方法，其包括：

a)将衬底布置在处理室中，其中，所述衬底包括第一材料和第二材料，所述第一材料被暴露并且包含氧化硅(SiO_z)，所述第二材料被暴露并且选自由硅(Si)和氮化硅(Si_xN_y)组成的组，其中z、x和y是定义元素的化学比的数字；

b)供应包含碳氟化合物物质和氢物质的第一气体混合物；

c)激励等离子体持续第一预定时间段以在所述衬底上沉积碳氟化合物层；

d)从所述处理室中去除所述第一气体混合物；

e)供应第二气体混合物并激励等离子体持续第二预定时间段以执行激活步骤；以及

f)从所述处理室中去除所述第二气体混合物。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，相比于在所述第二材料上的所述碳氟化合物层，所述激活步骤更优先去除在所述第一材料上的所述碳氟化合物层。

3.根据权利要求2所述的方法，其还包括：

g)重复b)至f)N次，其中N为整数；以及

h)在所述第一材料上沉积膜并且使用所述碳氟化合物层基本上阻止膜在所述第二材料上沉积。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，相比于在所述衬底的平坦表面上的所述碳氟化合物层，所述激活步骤更优先去除在所述衬底的侧壁上的所述碳氟化合物层。

5.根据权利要求4所述的方法，其还包括：

g)重复b)至f)N次，其中N为整数；以及

h)在所述侧壁上沉积膜并且使用所述碳氟化合物层基本上阻止所述膜在所述平坦表面上沉积。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，相比于在所述衬底的侧壁上的所述碳氟化合物层，所述激活步骤更优先去除在所述衬底的平坦表面上的所述碳氟化合物层。

7.根据权利要求6所述的方法，其还包括：

g)重复b)至f)N次，其中N为整数；以及

h)在所述平坦的表面上沉积膜并且使用所述碳氟化合物层基本上阻止所述膜在所述侧壁上沉积。

8.根据权利要求1所述的方法，其还包括：

g)重复b)至f)N次，其中N为整数；以及

h)选择性地在所述衬底的所述第一材料和所述第二材料的暴露部分上沉积膜，并且使用碳氟化合物层基本上阻止所述膜在所述衬底上沉积。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一气体混合物包含选自由碳氟化合物气体(C_aF_b)、碳氢化合物气体(H_cC_d)、氢氟碳化合物气体(C_eF_fH_g)、分子氢气体(H₂)和其组合组成的组中的一种或多种气体，其中，a、b、c、d、e、f和g是定义元素的化学比的数字。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一气体混合物还包含选自由氦气(He)、氮气(N₂)、氙气(Xe)、氪气(Kr)和氩气(Ar)组成的组中的一种或多种气体。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二气体混合物包含选自由氦气(He)、氮气(N₂)、氙气(Xe)、氪气(Kr)和氩气(Ar)组成的组中的一种或多种气体。

12.根据权利要求8所述的方法，其中h)包括执行原子层沉积(ALD)。

13.根据权利要求8所述的方法，其还包括在g)之后并且在h)之前：

g1)供应包括氧气物质的第三气体混合物；以及

g2)激励等离子体持续预定时间段。