[发明专利]Cu-Ni合金溅射靶

说明书

本发明提供一种Cu‑Ni合金溅射靶，其包含Ni，且其余部分由Cu和不可避免的杂质组成，其中，当将在相邻的晶粒之间的取向差在5°以上且180°以下的范围内的晶粒之间所形成的晶界的长度设为总晶界长度L，并将使面心立方晶格的(111)面及(110)面作为旋转轴旋转的情况下分别确认到3个晶格点的取向差的晶界的长度设为孪晶晶界长度L_T时，由L_T/L×100定义的孪晶比率在35％以上且65％以下的范围内。

技术领域

本发明涉及一种当形成包含Ni且其余部分由Cu和不可避免的杂质组成的Cu-Ni合金的薄膜时所使用的Cu-Ni合金溅射靶。

本申请主张基于2018年4月17日于日本申请的专利申请2018-079126号的优先权，并将其内容援用于此。

背景技术

例如，如专利文献1所示，所述的Cu-Ni合金的低反射、耐热性及电气特性优异，因此可以用作显示器等的布线膜。并且，例如如专利文献2-4中所记载，也可以用作铜布线的基底膜。

而且，包含40～50质量％的Ni的Cu-Ni合金的电阻温度系数小，因此例如如专利文献5所示，可以用作应变仪用薄膜电阻元件。

并且，该Cu-Ni合金的电动势大，因此例如如专利文献6-8所示，可以用作薄膜热电偶及补偿导线。

而且，即使在包含22质量％以下的Ni的Cu-Ni合金中，也可以用作普通电阻元件或低温发热体等。

如上述由Cu-Ni合金组成的薄膜例如通过溅射方法形成。例如，如专利文献9，10所示，以往的溅射方法中所使用的Cu-Ni合金溅射靶通过熔铸法进行制造。

并且，在专利文献11中提出有Cu-Ni合金的烧结体的制造方法。

专利文献1：日本特开2017-005233号公报

专利文献2：日本特开平05-251844号公报

专利文献3：日本特开平06-097616号公报

专利文献4：日本特开2010-199283号公报

专利文献5：日本特开平04-346275号公报

专利文献6：日本特开平04-290245号公报

专利文献7：日本特开昭62-144074号公报

专利文献8：日本特开平06-104494号公报

专利文献9：日本特开2016-029216号公报

专利文献10：日本特开2012-193444号公报

专利文献11：日本特开平05-051662号公报

在上述Cu-Ni合金膜中，当膜厚、组成产生偏差时，导致电阻等特性在膜内产生偏差。因此，要求形成膜厚、组成被均匀化的Cu-Ni合金膜。

并且，存在如下忧患，即，在Cu-Ni合金溅射靶的晶粒直径粗大化的情况下，容易发生异常放电，从而无法稳定地实施溅射成膜。

发明内容

本发明是鉴于前述情况而完成的，其目的在于提供一种能够稳定地形成膜厚、组成被均匀化的Cu-Ni合金膜的Cu-Ni合金溅射靶。